乾照光電和武漢大學(xué)研究人員表示,他們?cè)?英寸p型硅襯底上開(kāi)發(fā)出高功率,可靠的基于GaN的垂直LED(VLED)。他們使用具有SiO 2電流阻擋層的優(yōu)化金屬化方案實(shí)現(xiàn)了這一目標(biāo)。此外,通過(guò)KOH濕法刻蝕對(duì)VLED的發(fā)射表面進(jìn)行表面紋理處理,提高光提取效率。
沉積的金屬化方案會(huì)在潮濕...  [詳內(nèi)文]
乾照光電與武漢大學(xué)共同開(kāi)發(fā)硅基高功率GaN LED |
作者 Wen, James|發(fā)布日期 2019 年 12 月 19 日 14:48 | 分類 產(chǎn)業(yè) |