近日，九峰山實驗室6英寸碳化硅（SiC）中試線全面通線，首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實驗室已具備碳化硅外延、工藝流程、測試等全流程技術服務能力。
實驗室開發(fā)了低表面粗糙度、高激活率的高溫高能離子注入與激活工藝，實現(xiàn)了低溝槽表面粗糙度刻蝕，打通了高厚度一致性及均一性、低界面態(tài)密度溝槽柵氧介質(zhì)結(jié)構及工藝，制定并實施了低阻n型和p型歐姆接觸的合金化技術方案，系統(tǒng)性地解決了一直困擾業(yè)界的溝槽型碳化硅MOSFET器件的多項工藝難題。
據(jù)悉，湖北九峰山實驗室于2021年成立，實驗室聚焦化合物半導體，主要涉及以下工藝領域：SiC、GaN、InP、GaAs、化合物相關MEMS、特種先進封裝和多材料集成。（文：集邦化合物半導體 Amber整理）
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