文章分類： 功率

SiC開啟800V新時代，政企雙端發(fā)力

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 15 日 20:36 |
| 分類: 功率
12月14日，全球領(lǐng)先的車用技術(shù)企業(yè)采埃孚，宣布其電機產(chǎn)量已突破300萬臺大關(guān)。 采埃孚稱，電機量產(chǎn)超過300萬臺顯示出市場對純?nèi)加桶l(fā)動機的依賴不斷減少，標(biāo)志著整個行業(yè)朝著電動化出行的成功轉(zhuǎn)型。 值得一提的是，采埃孚此前推出采用碳化硅（SiC）技術(shù)的EVSys800電驅(qū)動系統(tǒng)，展...  [詳內(nèi)文]

易達通GaN功率元件能源轉(zhuǎn)換效率已超92%

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 12 日 17:45 |
| 分類: 功率
近日據(jù)報道，IDM創(chuàng)企易達通科技已推出多款氮化鎵（GaN）功率IC，采用藍寶石襯底及LED制程，獲得全球三大LED集團青睞，其中2家已下單。執(zhí)行長林仕國表示，GaN具有寬能隙、高電壓驅(qū)動及耐高溫特性，搭載藍寶石襯底可制造各種功率元件，采用碳化硅（SiC）襯底則可制造射頻元件。 據(jù)...  [詳內(nèi)文]

中科重儀自研功率型GaN-on-Si生產(chǎn)線投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 11 日 17:41 |
| 分類: 功率
近日，蘇州中科重儀半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱中科重儀）自主研發(fā)的應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的大尺寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片生產(chǎn)線正式建成并投入使用。 據(jù)介紹，目前GaN材料外延生長的主流方法是金屬有機化學(xué)氣相沉積法（MOCVD），由于針對功率型大尺寸GaN-on-Si材料...  [詳內(nèi)文]

193億，羅姆和東芝攜手生產(chǎn)SiC功率器件

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 08 日 17:27 |
| 分類: 功率
12月7日，根據(jù)外國媒體報道，為鞏固自身在電動汽車零部件領(lǐng)域的地位，羅姆（ROHM）和東芝宣布將合作生產(chǎn)碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導(dǎo)體器件，這一計劃得到了日本政府的支持。 ROHM和東芝將分別對SiC和Si功率器件進行密集投資，兩者將依據(jù)對方生產(chǎn)力優(yōu)勢進行互補，有效提高供...  [詳內(nèi)文]

芯塔電子SiC MOSFET通過車規(guī)級認(rèn)證

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 06 日 17:45 |
| 分類: 功率
近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩ TO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測機構(gòu)（廣電計量）全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證。 據(jù)介紹，AEC-Q作為國際通用的車規(guī)級電子元器件測試規(guī)范，目前已成為車用元器件質(zhì)量與可靠性的標(biāo)志。試驗項目包含...  [詳內(nèi)文]

中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)SiC MOSFET正式下線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 04 日 17:34 |
| 分類: 功率
11月30日，中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線。本款芯片采用平面柵型結(jié)構(gòu)，自主設(shè)計的新型終端結(jié)構(gòu)具有更高的工藝可靠性，在同等耐壓水平下，體積更小，可應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)逆變器等車載電源系統(tǒng)。 作為一家由中國一汽、東風(fēng)公司、南方工業(yè)...  [詳內(nèi)文]

總投資100億，比亞迪半導(dǎo)體功率器件項目一期竣工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 01 日 17:40 | | 分類: 功率
11月28日，位于紹興濱海新區(qū)的比亞迪半導(dǎo)體功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目一期竣工。 據(jù)了解，該項目總投資100億元，用地417畝，項目建設(shè)年產(chǎn)72萬片功率器件產(chǎn)品和年產(chǎn)60億套光微電子產(chǎn)品生產(chǎn)線，達產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)值150億元。一期項目研發(fā)生產(chǎn)的功率器件、傳感控制器件，均...  [詳內(nèi)文]

東部高科加快GaN和SiC布局

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 30 日 17:40 |
| 分類: 功率
據(jù)韓媒ETnews消息，近日，韓國晶圓代工大廠東部高科（DB HiTek）聘請了一位來自安森美的功率半導(dǎo)體專家。 業(yè)內(nèi)人士透露，東部高科聘請了安森美半導(dǎo)體前技術(shù)開發(fā)高級總監(jiān)Ali Salih，并讓他負(fù)責(zé)氮化鎵（GaN）工藝開發(fā)。 Salih是一位功率半導(dǎo)體工藝開發(fā)人員，擁有約20...  [詳內(nèi)文]

致瞻科技第20000臺SiC電動壓縮機控制器下線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 27 日 17:35 |
| 分類: 功率
11月24日，致瞻科技第20000臺碳化硅（SiC）電動壓縮機控制器下線儀式在致瞻科技生產(chǎn)總部嘉善縣姚莊鎮(zhèn)數(shù)字化黑燈工廠舉行，這標(biāo)志著致瞻科技在車用空調(diào)熱管理這一垂直細分行業(yè)產(chǎn)業(yè)化方面，取得了從0到1的突破。 資料顯示，致瞻科技聚焦于SiC半導(dǎo)體器件和先進電驅(qū)系統(tǒng)，擁有5000㎡...  [詳內(nèi)文]

鍇威特：SiC功率器件已進入產(chǎn)業(yè)化階段

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 27 日 17:35 |
| 分類: 功率
11月24日，蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司接受投資者調(diào)研，公司就研發(fā)方向、技術(shù)儲備、產(chǎn)品布局等投資者關(guān)心的問題進行了解答。 研發(fā)方面，鍇威特表示，公司截止三季度的研發(fā)費用投入總計達2,768萬元，同比增長了70.26%，研發(fā)投入占前三季度內(nèi)營收的16.95%，同比增加7.68個百...  [詳內(nèi)文]