12月26日，隨著中車株洲所一臺(tái)新一代電驅(qū)產(chǎn)品C-Power 220s在株洲智谷工業(yè)園下線，中車新能源乘用車電驅(qū)累計(jì)量產(chǎn)突破100萬(wàn)臺(tái)大關(guān)。
據(jù)悉，C-Power 220s于2021年首次發(fā)布，應(yīng)用了碳化硅（SiC）技術(shù)，采用創(chuàng)新的電機(jī)和控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)，系統(tǒng)效率最高可達(dá)94%，適應(yīng)新能源汽車高頻快充、長(zhǎng)續(xù)航、高安全需求，目前已在多個(gè)項(xiàng)目上得到應(yīng)用。
目前，中車株洲所正在大力布局SiC領(lǐng)域。12月4日，中車株洲所子公司株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱中車時(shí)代電氣）在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司SiC芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，將現(xiàn)有平面柵SiC MOSFET芯片技術(shù)能力提升到滿足溝槽柵SiC MOSFET芯片研發(fā)能力，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線提升到6英寸，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片線25000片/年。項(xiàng)目預(yù)計(jì)年底可以完成。
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根據(jù)中車時(shí)代電氣在去年4月12日發(fā)布的公告，中車時(shí)代電氣控股子公司中車時(shí)代半導(dǎo)體擬投資46160萬(wàn)元人民幣（最終投資金額以實(shí)際投資金額為準(zhǔn)）實(shí)施上述SiC芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目，通過(guò)本項(xiàng)目實(shí)施，形成面向新能源汽車、軌道交通方向的SiC芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線。
中車時(shí)代電氣在上述公告中稱，公司SiC產(chǎn)品在地鐵、新能源汽車等市場(chǎng)均已實(shí)現(xiàn)應(yīng)用示范。而在今年7月，中車時(shí)代電氣在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司針對(duì)800V充電樁系統(tǒng)推出的SiC MOSFET芯片產(chǎn)品，正處于應(yīng)用推廣階段。
近年來(lái)，SiC技術(shù)和相關(guān)產(chǎn)品已普遍應(yīng)用于新能源汽車高端車型中。例如：11月9日，華為攜手奇瑞發(fā)布智界S7，該車搭載了全新一代DriveONE 800V高壓SiC黃金動(dòng)力平臺(tái)；12月23日，蔚來(lái)發(fā)布行政旗艦車型ET9，成為蔚來(lái)旗下又一款搭載SiC功率模塊的車型，ET9采用蔚來(lái)自研自產(chǎn)的1200V SiC功率模塊，以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包，單顆電芯能量密度高達(dá)292Wh/kg，充電效率達(dá)到5C；此外，理想即將推出的800V高壓純電平臺(tái)將在電驅(qū)逆變器中采用意法半導(dǎo)體的第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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