文章分類： 功率

日本將新增一條SiC產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 05 日 18:10 |
| 分類: 功率
據(jù)日媒報(bào)道，8月1日，碳和石墨產(chǎn)品綜合制造商?hào)|海碳素（Tokai Carbon）擬投資54億日元（折合人民幣約為2.7億元）在日本神奈川縣茅崎市建立一條多晶SiC晶圓專線，并預(yù)計(jì)將于2024年12月完成建設(shè)。 東海炭素開發(fā)的用于功率半導(dǎo)體的SiC晶圓，被稱為“層壓SiC晶圓”。層...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體13項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)有新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 31 日 17:20 |
| 分類: 功率
近日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）官方微信消息，其標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）公布了13項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)新進(jìn)展，包括2項(xiàng)GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案、2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見、9項(xiàng)SiC MOSFET技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見稿的編制。 ...  [詳內(nèi)文]

德高化成GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 30 日 17:59 |
| 分類: 功率
據(jù)天津經(jīng)開區(qū)一泰達(dá)消息，近日，天津德高化成新材料股份有限公司的全資子公司天津德高化成科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱德高化成）在天津經(jīng)開區(qū)的施工現(xiàn)場(chǎng)打下第一根樁，標(biāo)志著德高化成第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正式開工建設(shè)。 據(jù)悉，第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

設(shè)備入場(chǎng)！三安半導(dǎo)體8英寸碳化硅提速

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 25 日 15:53 |
| 分類: 功率
據(jù)三安半導(dǎo)體官微消息，7月24日，三安半導(dǎo)體舉行芯片二廠M6B設(shè)備入場(chǎng)儀式。這標(biāo)志著三安碳化硅（SiC）項(xiàng)目二期通線在即，將為全面加速8英寸SiC產(chǎn)業(yè)布局，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線正式投產(chǎn)奠定良好基礎(chǔ)。 source：三安半導(dǎo)體 據(jù)介紹，湖南三安SiC項(xiàng)目總投資高達(dá)160億人民幣，旨在打造6...  [詳內(nèi)文]

韓國首個(gè)1200V 氧化鎵SBD問世

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 24 日 16:30 |
| 分類: 功率
7月22日，韓國化合物半導(dǎo)體公司Siegtronics宣布，公司已開發(fā)出可應(yīng)用于高速開關(guān)的氧化鎵（Ga2O3）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）。 source：Siegtronics 據(jù)悉，氧化鎵是一種寬帶隙（WBG）材料，與碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相比，具有更寬帶隙和更高...  [詳內(nèi)文]

悉智科技車規(guī)級(jí)碳化硅模塊項(xiàng)目正式投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 24 日 16:27 |
| 分類: 功率
7月22日，蘇州悉智科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“悉智科技”）宣布其首批車規(guī)級(jí)功率模塊量產(chǎn)產(chǎn)品正式下線投產(chǎn)。 source：悉智科技 據(jù)介紹，此次下線的首批量產(chǎn)模塊，是悉智科技自研的高端電驅(qū)碳化硅（SiC）塑封功率模塊產(chǎn)品。悉智科技表示，該產(chǎn)品已經(jīng)贏得了國內(nèi)外多家知名OEM廠商的認(rèn)...  [詳內(nèi)文]

130um，全球最薄碳化硅晶圓片問世

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 12 日 17:20 |
| 分類: 功率
江蘇通用半導(dǎo)體有限公司（原：河南通用智能裝備有限公司，下文簡(jiǎn)稱“通用半導(dǎo)體”）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研設(shè)備（碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備）成功實(shí)現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶 8英寸SiC晶錠激光全自動(dòng)剝離設(shè)備（source：通用半導(dǎo)體） 資料顯示，通用...  [詳內(nèi)文]

18臺(tái)碳化硅整線濕法設(shè)備，創(chuàng)微微電子再次中標(biāo)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 10 日 14:07 |
| 分類: 功率
7月9日，光伏設(shè)備大廠捷佳偉創(chuàng)宣布，繼4月份半導(dǎo)體碳化硅整線濕法設(shè)備訂單并完成合同簽署后，近日公司子公司創(chuàng)微微電子（常州）有限公司（以下簡(jiǎn)稱：創(chuàng)微微電子）再次斬獲另一家半導(dǎo)體頭部企業(yè)整線濕法設(shè)備訂單，目前已完成合同簽訂工作。 據(jù)介紹，此次簽訂的合同標(biāo)的位于該客戶新產(chǎn)業(yè)園的碳化硅產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

上海新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目通過竣工驗(yàn)收

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 10 日 14:05 | | 分類: 功率
據(jù)中建八局消息，近日，公司承建的新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目已竣工，并通過了驗(yàn)收。 source：中建八局 項(xiàng)目位于上海臨港新片區(qū)總建筑面積約5.8萬平方米，總投資11.6億元，由生產(chǎn)廠房及其配套設(shè)施等6個(gè)單體構(gòu)成，著力打造國內(nèi)領(lǐng)先、國際一流的紅外探測(cè)器研發(fā)與生產(chǎn)基地。項(xiàng)目主...  [詳內(nèi)文]

天岳先進(jìn)、天域半導(dǎo)體等碳化硅大廠迎最新動(dòng)態(tài)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 08 日 13:54 | | 分類: 功率
今年以來，國內(nèi)外碳化硅大廠動(dòng)態(tài)交織，深刻體現(xiàn)行業(yè)從6英寸過渡到8英寸的加速步伐。 據(jù)外媒消息，意法半導(dǎo)體（ST）近日表示，將從明年第三季度開始將其碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝從6英寸升級(jí)為8英寸。 中國某頭部大廠生產(chǎn)負(fù)責(zé)人在近日接受全球半導(dǎo)體觀察時(shí)表示，預(yù)計(jì)從2026年至2...  [詳內(nèi)文]