文章分類： 功率

浙江南潯發(fā)布泛半導體產業(yè)規(guī)劃，力爭2025年產業(yè)規(guī)模突破50億

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 18 日 17:45 |
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新民晚報消息，9月16日，浙江湖州市南潯區(qū)發(fā)布《湖州市南潯區(qū)泛半導體新材料產業(yè)發(fā)展規(guī)劃》，長三角泛半導體新材料產業(yè)園揭牌成立。 根據《湖州市南潯區(qū)泛半導體新材料產業(yè)發(fā)展規(guī)劃》，南潯將積極導入長三角核心城市關鍵資源，重點布局半導體涉化材料、封測產業(yè)、新型顯示、面向上海的芯片設計服務...  [詳內文]

新潔能推出的SiC MOSFET產品通過驗證并可小規(guī)模量產

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 15 日 17:45 |
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近日，無錫新潔能股份有限公司（下文簡稱“新潔能”）在互動平臺表示目前已開發(fā)完成1200V 23mohm~62mohm SiC MOSFET系列產品，新開發(fā)650V SiC MOSFET工藝平臺，用于新能源汽車OBC、光伏儲能、工業(yè)及自動化等行業(yè)，相關產品已通過客戶驗證，并實現(xiàn)小規(guī)...  [詳內文]

最高5000萬元資助，深圳大力發(fā)展半導體等領域關鍵材料

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 15 日 10:32 |
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9月13日，深圳市工業(yè)和信息化局、深圳市發(fā)展和改革委員會、深圳市科技創(chuàng)新委員會，三部門聯(lián)合印發(fā)《深圳市關于推動新材料產業(yè)集群高質量發(fā)展的若干措施》（以下簡稱“《若干措施》”），推動新材料產業(yè)集群高質量發(fā)展。本措施自2023年9月13日起實施，有效期5年。 source：深圳市工...  [詳內文]

三菱電機將交付用于5G 基站的GaN功率放大模塊樣品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 14 日 17:45 |
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9月13日，三菱機電股份有限公司（下文簡稱“三菱電機”）宣布，9月21日起，用于5G大規(guī)模MIMO（mMIMO）基站的新型GaN功率放大模塊樣品將大量出貨。該GaN功率放大模塊在 400 MHz 的寬頻率范圍內可以提高至少 43% 的功率附加效率，能有效降低5G mMIMO基站的...  [詳內文]

河北出臺新政，支持第三代半導體等細分行業(yè)發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 14 日 9:52 |
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近日，河北省人民政府辦公廳印發(fā)《關于支持第三代半導體等5個細分行業(yè)發(fā)展若干措施》（以下簡稱《若干措施》），提出加快第三代半導體、新型顯示等細分行業(yè)發(fā)展。以下是該政策的部分內容： 第三代半導體 支持設計研發(fā)驗證。對擁有自主知識產權的第三代半導體設計企業(yè)，其研發(fā)設計的新產品通過用戶...  [詳內文]

SiC乘著光伏的東風狂飆！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 13 日 17:48 |
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在新能源產業(yè)井噴的大背景下，SiC也跟著炙手可熱，SiC上車已經不是趨勢而是事實，而在光伏領域，SiC也在加快前進步伐。 光伏發(fā)電并網的過程中，為了實現(xiàn)發(fā)電系統(tǒng)的穩(wěn)定、高效運行，對逆變器的要求會變得更嚴格，傳統(tǒng)硅基器件由于材料固有特性限制了其在高溫、高壓、高效率場景的應用，而Si...  [詳內文]

意法半導體為博格華納提供SiC，助力沃爾沃汽車！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 13 日 11:40 | | 分類: 功率
9月7日，意法半導體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來多款純電動汽車設計電驅逆變器平臺。 為了充分發(fā)揮意法半導體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢，意法半導體和博格華納技術團隊密切合作，...  [詳內文]

納微計劃擴產SiC/GaN

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 11 日 17:30 |
| 分類: 功率
據外媒報道，納微半導體正計劃在歐洲和美國擴大其氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的生產能力，以減少對臺廠的依賴。 據悉，納微目前的SiC及GaN分別由X-Fab和臺積電代工，其中，SiC器件在X-Fab的美國德州（Lubbock, Texas）工廠生產，GaN在臺積電的...  [詳內文]

三安半導體8英寸SiC首發(fā)，即將獲得訂單？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 11 日 9:45 |
| 分類: 功率
2023年9月6日，三安半導體發(fā)布消息稱，公司攜碳化硅全產業(yè)鏈產品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，三安半導體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導體表示，展會上有多家重要客戶在詳細詢問三安半導體產品參數后，表...  [詳內文]

簽約、投產、成果發(fā)布，南京三代半產業(yè)迎新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 08 日 16:30 |
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9月6日，由南京市人民政府、中國電子科技集團有限公司指導、國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心主辦的第三代半導體產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會在江寧開發(fā)區(qū)舉行。 會上，多個超百億元產業(yè)項目簽約，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）集中發(fā)布重大科技攻關成果，同時宣布一期項目竣工投產。 此次集中簽約的項目...  [詳內文]