文章分類： 功率

順為科技集團(tuán)IGBT/SiC功率半導(dǎo)體模塊項(xiàng)目簽約

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 10 日 9:36 |
| 分類: 功率
據(jù)石峰發(fā)布消息，近日，株洲市石峰區(qū)舉行順為科技集團(tuán)IGBT/SiC功率半導(dǎo)體模塊項(xiàng)目簽約儀式。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 順為科技集團(tuán)IGBT/SiC功率半導(dǎo)體模塊項(xiàng)目位于田心高科園，主要生產(chǎn)工業(yè)調(diào)頻、充電樁、儲(chǔ)能逆變、光伏/風(fēng)力發(fā)電用IGBT模塊等。 該項(xiàng)目總投資7.5億元，...  [詳內(nèi)文]

吉利等國(guó)產(chǎn)車企向SiC狂奔！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 10 日 9:32 |
| 分類: 功率
根據(jù)企查查顯示，浙江晶進(jìn)集成電路有限公司于近日成立，該公司法定代表人為潘運(yùn)濱，注冊(cè)資本1.5億元，經(jīng)營(yíng)范圍包含：集成電路制造、半導(dǎo)體分立器件制造、電子元器件制造、集成電路芯片及產(chǎn)品制造、電子產(chǎn)品銷售等。 企查查股權(quán)穿透顯示，該公司由浙江晶能微電子有限公司（下文簡(jiǎn)稱“晶能微電子”）...  [詳內(nèi)文]

東風(fēng)汽車入股！SiC企業(yè)長(zhǎng)飛先進(jìn)注冊(cè)資本增至2.92億

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 09 日 15:40 | | 分類: 功率
近日，據(jù)天眼查信息，第三代半導(dǎo)體功率器件制造廠商安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)飛先進(jìn)”）發(fā)生工商變更，新增東風(fēng)汽車旗下信之風(fēng)（武漢）股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）、安徽省皖能海通雙碳產(chǎn)業(yè)并購(gòu)?fù)顿Y基金合伙企業(yè)（有限合伙）等多位股東。同時(shí)，長(zhǎng)飛先進(jìn)的注冊(cè)資本由約1.50億...  [詳內(nèi)文]

SiC功率半導(dǎo)體公司忱芯科技完成了億元戰(zhàn)略融資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 08 日 17:45 |
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10月8日，忱芯科技有限公司（下文簡(jiǎn)稱“忱芯科技”）官方公眾號(hào)發(fā)文稱，公司已完成億元戰(zhàn)略融資，本輪融資由火山石投資、華潤(rùn)旗下潤(rùn)科基金、老股東武岳峰科創(chuàng)聯(lián)合投資，融資資金將主要用于忱芯科技前瞻產(chǎn)品的研發(fā)，以及量產(chǎn)產(chǎn)品的全球化布局。 據(jù)悉，忱芯科技于2020年在上海成立，是一家專注功...  [詳內(nèi)文]

SiC測(cè)試設(shè)備公司Aeh上季度營(yíng)業(yè)收入2060萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng)93%

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 07 日 17:45 |
| 分類: 功率
半導(dǎo)體測(cè)試和生產(chǎn)老化設(shè)備制造商Aeh公布了截至2023年8月31日的2024財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。該季度的營(yíng)業(yè)收入為 2060 （1.5億元）萬(wàn)美元，非 GAAP 凈利潤(rùn)為 520 （3800萬(wàn)元）萬(wàn)美元，GAAP凈收益為470（3433萬(wàn)元）萬(wàn)美元。 對(duì)于截至 2024 年 5...  [詳內(nèi)文]

南方科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)在GaN放大功率器件中獲得進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 26 日 17:45 |
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9月25日，南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院官方公眾號(hào)發(fā)文稱，深港微電子學(xué)院助理教授方小虎團(tuán)隊(duì)在GaN MMIC高效率C波段F類功率放大器和高效率寬帶毫米波功率放大器研究領(lǐng)域中取得進(jìn)展。 高效率C波段F類功率放大器 C波段(4-8 GHz)射頻功率放大器是遠(yuǎn)距離無(wú)線能量傳輸、合成孔徑雷...  [詳內(nèi)文]

車用GaN需求攀升，國(guó)產(chǎn)企業(yè)有望搶占先機(jī)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 26 日 17:45 |
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1. 在材料特性的支持下，車用GaN元件的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)將日益顯著 憑借優(yōu)異的材料特性，SiC元件正加速導(dǎo)入汽車、再生能源、電源PFC等領(lǐng)域，而GaN元件亦在終端設(shè)備的快速充電領(lǐng)域大放異彩；此外，在汽車、網(wǎng)絡(luò)通訊領(lǐng)域，GaN元件的能見(jiàn)度也越來(lái)越高。 在電動(dòng)車搭載的牽引逆變器、車載充電器...  [詳內(nèi)文]

SiC和GaN，這個(gè)問(wèn)題不容忽視

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 26 日 10:13 |
| 分類: 功率
在談到SiC和GaN這些炙手可熱的寬禁帶材料的時(shí)候，大家首先想到是其領(lǐng)先的特性，這讓它們?cè)诓簧偈袌?chǎng)能尋找到一席之地。來(lái)到技術(shù)層面，讀者們可能對(duì)其襯底、外延、制造工藝、晶圓尺寸甚至制造設(shè)備等都有廣泛的關(guān)注。 其實(shí)，對(duì)于GaN和SiC，還有一個(gè)少被提及，但又非常重要的一環(huán)，那就是測(cè)試...  [詳內(nèi)文]

英飛凌與深圳英飛源技術(shù)（Infypower）達(dá)成合作

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 22 日 17:45 | | 分類: 功率
北京時(shí)間9月20日，英飛凌宣布與深圳英飛源（Infypower）合作，其將為 INFY 提供業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V CoolSiC?MOSFET 功率半導(dǎo)體器件，以提高電動(dòng)汽車充電站的效率。 據(jù)介紹，通過(guò)集成英飛凌的1200 V CoolSiC MOSFET，Infypower...  [詳內(nèi)文]

國(guó)星光電聯(lián)合佛照電工推出33W氮化鎵墻插快充新品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 22 日 16:45 |
| 分類: 功率
9月20日，國(guó)星光電聯(lián)合佛山照明智達(dá)電工科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“佛照電工”）開發(fā)的基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵應(yīng)用墻插快充產(chǎn)品正式面世。 據(jù)介紹，國(guó)星光電與佛照電工聯(lián)合推出的86面板墻插產(chǎn)品，采用了國(guó)星光電33W氮化鎵技術(shù)，該技術(shù)主要依托DFN5*6 NSGaN 器件搭建的氮化鎵墻插...  [詳內(nèi)文]