10月18日，凌銳半導(dǎo)體（上海）有限公司（下文簡稱“凌銳半導(dǎo)體”）官方公眾號發(fā)文宣布，凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。
據(jù)介紹，該產(chǎn)品具備開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動的特點(diǎn)，能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
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目前凌銳1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS已達(dá)量產(chǎn)階段，并在Q4實(shí)現(xiàn)客戶端批量交貨。
同時，公司正積極布局研發(fā)下一代更高性能的產(chǎn)品。
凌銳半導(dǎo)體專注第三代半導(dǎo)體SiC車規(guī)級芯片研發(fā)與銷售，公司自創(chuàng)立起，精準(zhǔn)定位高端車規(guī)級MOSFET，對標(biāo)國際一線大廠產(chǎn)品，并與產(chǎn)業(yè)鏈上下游建立了深度合作，目前有多款產(chǎn)品通過核心客戶測試驗(yàn)證，并已獲得多家同行業(yè)上市公司的戰(zhàn)略入股。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）
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