相關(guān)資訊：氮化鎵

廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 16 日 13:56 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
“廣東致能半導(dǎo)體有限公司”官微消息，近期，廣東致能創(chuàng)始人黎子蘭博士參加在瑞典舉辦的第十五屆國際氮化物半導(dǎo)體會議（ICNS-15）并作邀請報告（Invited Talk）。報告分享了團隊在硅基垂直氮化鎵功率器件（GaN HEMT）技術(shù)上的原創(chuàng)性突破及應(yīng)用前景。 廣東致能團隊全球首創(chuàng)...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科宣布，產(chǎn)能再擴張！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 15 日 13:47 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
英諾賽科（Innoscience）正通過產(chǎn)能拓展、技術(shù)創(chuàng)新及戰(zhàn)略合作強化，持續(xù)鞏固其市場地位。公司計劃在未來五年內(nèi)顯著提升晶圓產(chǎn)能，同時推出新一代產(chǎn)品平臺并積極布局車規(guī)級、AI服務(wù)器等高增長應(yīng)用市場。 產(chǎn)能布局與技術(shù)路線：聚焦8英寸，展望12英寸 英諾賽科正加速其8英寸氮化鎵晶圓...  [詳內(nèi)文]

新品爆發(fā)，英諾賽科/wolfspeed/英飛凌/羅姆等企業(yè)加速競逐
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 08 日 14:05 | 分類 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN
以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料持續(xù)推動功率電子和通信領(lǐng)域的技術(shù)革新。從新能源汽車到5G基站，從工業(yè)設(shè)備到消費電子，這些寬禁帶材料正憑借高頻、高效、高功率密度的特性重塑產(chǎn)業(yè)格局。 近期，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來一輪新品爆發(fā)期，英諾賽科、Wolfspeed、...  [詳內(nèi)文]

英飛凌：12英寸GaN晶圓量產(chǎn)在即
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 04 日 14:34 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
7月3日，英飛凌在其官方網(wǎng)站宣布，其基于12英寸晶圓的可擴展氮化鎵（GaN）制造技術(shù)已取得突破性進(jìn)展。這一里程碑標(biāo)志著GaN功率器件的大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一步，首批樣品預(yù)計將于2025年第四季度交付客戶。 圖片來源：英飛凌官網(wǎng)截圖 氮化鎵作為新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以其卓...  [詳內(nèi)文]

新加坡成立氮化鎵國家半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換和創(chuàng)新中心，2026年年中開啟商業(yè)運營
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 02 日 14:41 | 分類 氮化鎵GaN
近日，新加坡科學(xué)技術(shù)研究署（A*Star）成立的氮化鎵國家半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換和創(chuàng)新中心（NSTIC（GaN））舉行開幕儀式并正式啟用，計劃從2026年年中開始在本地提供商業(yè)生產(chǎn)代工服務(wù)。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代科技的核心驅(qū)動力，氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料代表，具有高電子遷移率、高擊穿電場、高熱...  [詳內(nèi)文]

行業(yè)雙強聯(lián)手，啟動8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計劃！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 02 日 13:38 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
7月1日，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）宣布，與全球領(lǐng)先的晶圓代工廠力積電（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC）達(dá)成戰(zhàn)略合作。 此次合作的核...  [詳內(nèi)文]

麻省理工學(xué)院推出氮化鎵與硅芯片3D集成新技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 24 日 14:44 | 分類 氮化鎵GaN
近日，麻省理工學(xué)院（MIT）的研究團隊取得了一項重大技術(shù)突破，開發(fā)出一種創(chuàng)新的制造工藝，能夠?qū)⒏咝阅艿墸℅aN）晶體管與標(biāo)準(zhǔn)硅芯片進(jìn)行三維集成。這一成果有望顯著提升高頻應(yīng)用（如視頻通話和實時深度學(xué)習(xí)）的性能表現(xiàn)，為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展開辟新的道路。 圖片來源：麻省理工學(xué)院新聞 ...  [詳內(nèi)文]

羅姆為英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)提供高性能電源解決方案
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 24 日 14:27 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
6月23日，羅姆宣布成為支持英偉達(dá)全新800V高壓直流（HVDC）架構(gòu)的主要硅供應(yīng)商之一。 羅姆介紹，公司不僅提供硅（Si）功率元器件，還擁有包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等#寬禁帶半導(dǎo)體?在內(nèi)的豐富產(chǎn)品陣容，可為數(shù)據(jù)中心的設(shè)計提供更優(yōu)解決方案。 羅姆的Si MOSFET...  [詳內(nèi)文]

深圳平湖實驗室GaN課題組迎新成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 23 日 14:29 | 分類 氮化鎵GaN
近期，深圳平湖實驗室的論文《肖特基型p-GaN柵HEMT中雙跨導(dǎo)峰與單跨導(dǎo)峰的演變：部分耗盡與完全耗盡p-GaN層的影響》被IEEE ISPSD確認(rèn)接收，論文第一作者為劉軒博士，通訊作者為萬玉喜、David Zhou。 IEEE ISPSD涵蓋了功率半導(dǎo)體器件、功率集成電路、工藝...  [詳內(nèi)文]

先為科技首臺GaN MOCVD外延設(shè)備正式發(fā)貨
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 18 日 13:53 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
“先為科技”官微消息，6月16日無錫先為科技有限公司首臺 GaN MOCVD BrillMO 外延設(shè)備正式發(fā)往國內(nèi)頭部的化合物半導(dǎo)體企業(yè)。 圖片來源：先為科技 先為科技表示，此次發(fā)貨的 GaN MOCVD BrillMO 外延設(shè)備，各項性能均達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。該設(shè)備運用特有的溫...  [詳內(nèi)文]