相關(guān)資訊：氮化鎵

比利時氮化鎵廠商BelGaN或?qū)⒂瓉砩衩刭I家
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 08 日 17:27 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
據(jù)報道，比利時氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體制造商BelGaN近期成為收購目標(biāo)，一位歐洲競標(biāo)者計劃投資2億~2.5億歐元，并計劃轉(zhuǎn)型光芯片生產(chǎn)。 據(jù)知情人士透露，這次的神秘買家與之前參與競購的瑞典-芬蘭財團和比利時本土投資者不同，其提出了更具吸引力的報價。 BelGaN前身為1983年成...  [詳內(nèi)文]

元腦服務(wù)器全面導(dǎo)入氮化鎵GaN鈦金電源
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 08 日 17:18 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，元腦服務(wù)器宣布全面導(dǎo)入氮化鎵GaN鈦金電源，提供1300W/1600W/2000W多種規(guī)格選擇。 元腦服務(wù)器介紹，在數(shù)據(jù)中心復(fù)雜的能源架構(gòu)里，電源是將外部輸入電能精準(zhǔn)分配給各類IT設(shè)備的核心環(huán)節(jié)。盡管HVDC高壓直流、固態(tài)變壓器（SST）等新型供電架構(gòu)已通過減少配電層級損耗...  [詳內(nèi)文]

珠海重點建設(shè)項目清單出爐，涉及碳化硅、砷化鎵
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 08 日 17:00 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，珠海市發(fā)展改革局發(fā)布2025年重點建設(shè)項目計劃清單。在項目計劃清單中，近40個半導(dǎo)體相關(guān)項目上榜，涉及以下化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域： 1、珠海華芯微電子砷化鎵半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線項目 2023年3月，格力金投與中芯聚源聯(lián)合領(lǐng)投華芯半導(dǎo)體，推動華芯（珠海）半導(dǎo)體砷化鎵總部研產(chǎn)基地項目落戶...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體重磅官宣與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 03 日 18:15 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
4月1日，意法半導(dǎo)體重磅宣布與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議，雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，提升氮化鎵功率解決方案的競爭力和供應(yīng)鏈韌性。 source：意法半導(dǎo)體中國 技術(shù)方面，兩家廠商的合作致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲、汽車等領(lǐng)域打造面向未來的功率電子技術(shù)。...  [詳內(nèi)文]

又一筆GaN收購，三墾電氣13億日元收購 POWDEC
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 03 日 18:12 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近年來，氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體技術(shù)因其高效率、高功率密度和耐高溫特性，在電力電子、射頻通信及新能源領(lǐng)域的重要性日益凸顯。氮化鎵領(lǐng)域的企業(yè)間的技術(shù)合作與戰(zhàn)略并購也逐漸成為行業(yè)發(fā)展的新常態(tài)。 3月27日，日本三墾電氣株式會社（Sanken Electric）宣布，在董事會會議上決定以...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵大爆發(fā)，英諾賽科、羅姆披露最新動態(tài)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 03 日 12:00 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
全球半導(dǎo)體競爭進入材料革命的新階段，第三代半導(dǎo)體重要性日益突出，其中，氮化鎵正成為冉冉升起的新星，應(yīng)用范圍不斷擴展，車規(guī)級氮化鎵隱隱有爆發(fā)的態(tài)勢，推動英諾賽科等廠商業(yè)績上漲，也吸引相關(guān)廠商持續(xù)布局。 英諾賽科最新業(yè)績出爐，車規(guī)級氮化鎵交付量增長986.7% 近日，氮化鎵龍頭企業(yè)英...  [詳內(nèi)文]

AI、機器人、氮化鎵等浪潮來襲，英飛凌四大新品亮劍
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 31 日 15:35 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月14日，英飛凌在2025英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會（ICIC 2025，以下同）上，就AI、機器人、邊緣計算、氮化鎵應(yīng)用等話題展開了深度探討，其首次在國內(nèi)展示了英飛凌的兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，引起行業(yè)諸多關(guān)注。 英飛凌...  [詳內(nèi)文]

日本住友利用二英寸金剛石襯底制備出氮化鎵器件
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 27 日 12:02 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
日本住友電氣工業(yè)株式會社（Sumitomo Electric）近日宣布，其與大阪公立大學(xué)的研究團隊在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重大突破——成功在直徑兩英寸的多晶金剛石（PCD）基板上研制出高性能氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管。 該創(chuàng)新成果通過革命性散熱架構(gòu)設(shè)計，將器件熱阻降至傳統(tǒng)硅基...  [詳內(nèi)文]

碳化硅和氮化鎵的專利井噴，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進階
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 26 日 13:52 | 分類 企業(yè)
近日，碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域頻傳專利突破喜訊，多家企業(yè)和研究機構(gòu)取得關(guān)鍵進展，為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展注入新動力。 這些專利成果聚焦于材料制備、器件制造以及應(yīng)用拓展等核心環(huán)節(jié)，有望推動相關(guān)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，提升產(chǎn)業(yè)競爭力。 1、材料制備革新 3 月 24 日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，成都天...  [詳內(nèi)文]

全球首創(chuàng)！我國九峰山實驗室在氮化鎵材料新突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 24 日 14:17 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
據(jù)九峰山實驗室3月22日消息，九峰山實驗室的科研團隊在全球首創(chuàng)性地實現(xiàn)了8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備，這一成果不僅標(biāo)志著我國在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重大進步，更為未來諸多前沿技術(shù)的發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ)。 1、技術(shù)突破：氮極性氮化鎵材料的制備 ...  [詳內(nèi)文]