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北京量子院基于單晶碳化硅薄膜刷新了國際記錄
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 04 日 14:30 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)新華網(wǎng)最新消息，近日，我國科學家領(lǐng)銜的一項重要成果突破世界紀錄——基于高硬度的單晶碳化硅薄膜，研制出的光聲量子存儲器，以4035秒的信息存儲時長刷新世界紀錄。該研究成果已發(fā)表于國際學術(shù)期刊《自然-通訊》。 據(jù)悉，北京量子信息科學研究院（以下簡稱“量子院”）量子計算云平臺的李鐵夫...  [詳內(nèi)文]

晶圓級立方SiC單晶生長取得突破
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 22 日 17:51 | 分類 功率
碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導率等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應用。與目前應用廣泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的載流子遷移率(2-4倍)、低的界面缺陷態(tài)密度(低1個數(shù)量級)和高的電子親和勢(3...  [詳內(nèi)文]