相關(guān)資訊：SiC碳化硅

牡丹江高性能碳化硅項(xiàng)目一期投產(chǎn)，二期劍指高端市場
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 30 日 16:41 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，牡丹江高性能碳化硅新材料陶瓷制品項(xiàng)目一期工程正式竣工并順利投產(chǎn)，標(biāo)志著牡丹江在碳化硅產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展上邁出了堅(jiān)實(shí)一步。該項(xiàng)目由#國家電投集團(tuán)山東能源發(fā)展有限公司?與#上海億棵竹實(shí)業(yè)集團(tuán)有限公司?共同投資建設(shè)，有力推動了牡丹江乃至全省碳化硅行業(yè)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)升級，并助力當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì)高質(zhì)量...  [詳內(nèi)文]

超200億+50億，兩大碳化硅項(xiàng)目迎來重大進(jìn)展！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 29 日 14:00 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月末，我國碳化硅產(chǎn)業(yè)兩個大金額項(xiàng)目迎來重大進(jìn)展：長飛先進(jìn)武漢基地首片晶圓正式下線、中導(dǎo)信力項(xiàng)目落戶鄂州。 01、超200億，長飛先進(jìn)武漢基地首片晶圓正式下線 5月28日，長飛先進(jìn)武漢基地首片6英寸碳化硅晶圓正式下線，這一事件標(biāo)志著總投資超過200億元人民幣的長飛先進(jìn)武漢基地正式...  [詳內(nèi)文]

杰平方-奧斯達(dá)克成立SiC戰(zhàn)略合作中心
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 29 日 13:55 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司與深圳奧斯達(dá)克電氣技術(shù)有限公司正式簽署碳化硅（SiC）戰(zhàn)略合作協(xié)議，并共同為“杰平方-奧斯達(dá)克SiC戰(zhàn)略合作中心”揭牌。 圖片來源：杰平方半導(dǎo)體 資料顯示， 奧斯達(dá)克作為車載電源及OBC領(lǐng)域的資深供應(yīng)商，多年來深耕重卡、工程機(jī)械、新能源汽車等行...  [詳內(nèi)文]

港交所將迎中國碳化硅芯片首股，第三代半導(dǎo)體資本競速
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 28 日 14:20 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月27日，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱“基本半導(dǎo)體”）正式向港交所遞交上市申請，中信證券、國金證券（香港）及中銀國際擔(dān)任聯(lián)席保薦人，這也是中國碳化硅功率器件第一家赴港提交上市申請的廠商。 圖片來源：基本半導(dǎo)體上市申請書截圖 基本半導(dǎo)體成立于2016年，總部位于深圳，作為國...  [詳內(nèi)文]

封頂/投產(chǎn)，國內(nèi)兩個化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 28 日 14:18 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵 , 碳化硅SiC
從氮化鎵（GaN）的“秒充”革命到碳化硅（SiC）在新能源汽車中的規(guī)模化應(yīng)用，化合物半導(dǎo)體正加速重構(gòu)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭格局，為5G通信、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域注入新動能。隨著市場對高性能、高能效半導(dǎo)體器件需求的激增，國內(nèi)化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目層出不窮。近期，兩個相關(guān)項(xiàng)目傳出新進(jìn)展，...  [詳內(nèi)文]

頭部大廠碳化硅設(shè)備再獲訂單
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 27 日 15:50 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，中導(dǎo)光電 披露，公司NanoPro-150納米級晶圓檢測設(shè)備再次獲得全球碳化硅（SiC）行業(yè)頭部客戶的復(fù)購訂單，將用于該客戶8英寸SiC晶圓前道制程的缺陷檢測。 圖片來源：中導(dǎo)光電 相較于傳統(tǒng)6英寸SiC晶圓，8英寸SiC在單位成本、生產(chǎn)效率和良率控制上具有顯著優(yōu)勢，是未...  [詳內(nèi)文]

新加坡迎來一條8英寸碳化硅相關(guān)產(chǎn)線，亞洲第三代半導(dǎo)體競賽再升級
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 27 日 15:48 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，#新加坡科技研究局（A-STAR）宣布啟動全球首條200毫米（8英寸）碳化硅（SiC）工業(yè)級開放研發(fā)生產(chǎn)線。 圖片來源：A-STAR圖為A-STAR首席執(zhí)行官 Beh Kian Teik? 該生產(chǎn)線由ASTAR微電子研究所（IME）運(yùn)營，整合了從材料生長、缺陷分析到器件制...  [詳內(nèi)文]

株洲中車8英寸SiC產(chǎn)線披露最新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 26 日 15:24 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月21日，株洲中車董事長李東林在“先進(jìn)軌道交通行業(yè)專場”說明會上透露了公司在碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)的最新進(jìn)展。 株洲中車正加快8英寸碳化硅產(chǎn)線建設(shè)，其中三期8英寸SiC晶圓項(xiàng)目已于2024年11月啟動，計(jì)劃2025年5月完成主體廠房封頂，年底前實(shí)現(xiàn)整線貫通。公司現(xiàn)有的6英寸SiC...  [詳內(nèi)文]

英偉達(dá)攜手納微升級電源架構(gòu)，氮化鎵和碳化硅發(fā)揮核心作用
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 23 日 16:31 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
當(dāng)?shù)貢r間5月21日，納微半導(dǎo)體宣布與英偉達(dá)達(dá)成戰(zhàn)略合作，共同開發(fā)基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的800V高壓直流（HVDC）電源架構(gòu)，該技術(shù)將率先應(yīng)用于英偉達(dá)下一代AI數(shù)據(jù)中心及Rubin Ultra計(jì)算平臺。 圖片來源：納微半導(dǎo)體 當(dāng)前數(shù)據(jù)中心普遍采用54V低壓配...  [詳內(nèi)文]

小米YU7強(qiáng)勢登陸，搭載800V碳化硅高壓平臺！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 23 日 16:21 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月22日，小米在其15周年戰(zhàn)略新品發(fā)布會上正式發(fā)布了旗下首款中大型豪華高性能SUV——小米YU7。 圖片來源：小米YU7 據(jù)悉，小米YU7有三個版型–標(biāo)準(zhǔn)版、Pro版和Max版，依舊全系長續(xù)航。作為小米汽車的第二款車型，YU7系列憑借其全系搭載的800V碳化硅高壓...  [詳內(nèi)文]