Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果，雙方共同努力，致力于為Micro LED生產(chǎn)應用提供業(yè)內(nèi)領先的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。
兩家公司最近合作的宗旨是，在為全球范圍內(nèi)多家杰出的消費類電子產(chǎn)品公司生產(chǎn)外延片的同時，展示ALLOS 200 mm硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)在Veeco Propel? MOCVD反應器上的可復制性。
“要將Micro LED技術(shù)轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)，僅依據(jù)單項指標展示主導價值是不夠的。我們必須確保每種外延片的整套規(guī)格都具有出色的可重復性和收益，”Veeco Compound Semiconductor業(yè)務部門高級副總裁兼總經(jīng)理Peo Hansson博士表示。“此次成功聯(lián)合再次肯定Veeco的優(yōu)秀MOCVD專業(yè)知識與ALLOS硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)強強結(jié)合，能夠為客戶提供經(jīng)驗證的、可靠的創(chuàng)新方案，加速推進Micro LED應用。”
作為標準，傳統(tǒng)LED技術(shù)通過分類和分級實現(xiàn)波長一致性。但鑒于Micro LED 尺寸小、數(shù)量多而無法分類和分級，因此，外延沉積的一致性變得更為重要。要使大批量生產(chǎn)Micro LED顯示器的承諾變成現(xiàn)實，最重要的成功要素在于實現(xiàn)極佳的發(fā)射波長一致性，這樣就不需要進行單獨的Micro LED芯片測試和分選。根據(jù)業(yè)內(nèi)目標要求，外延片分級應介于+/-1 nm（下限）和+/-4 nm（上限）之間，取決于應用和傳質(zhì)方法。通過合作項目，Veeco和ALLOS 通過標準偏差僅為0.85 nm的晶片進一步改善至關(guān)重要的波長一致性，這在生產(chǎn)系統(tǒng)方面屬于行業(yè)首例。
“Veeco和ALLOS對晶片之間的可復制性進行了驗證，所有晶片的平均波長標準偏差為1.21nm，且峰值波長介于+/-0.5 nm范圍內(nèi)。由此，我們朝著+/-1 nm外延片分級的目標又邁進一大步，”ALLOS首席執(zhí)行官Burkhard Slischka 表示。“我們的技術(shù)已經(jīng)可以在直徑200 mm的晶片上使用，這樣就能使用低成本、高收益的硅系列進行Micro LED芯片生產(chǎn)。此外，我們對于300 mm晶片應用已有清晰的發(fā)展藍圖。”
作為下一個重大技術(shù)轉(zhuǎn)變主題，Micro LED備受顯示器技術(shù)創(chuàng)新者的關(guān)注。根據(jù)LEDinside分析，Micro LED市場產(chǎn)值于2022年將達31.8億美金。邊長小于 100 μm 的Micro LED技術(shù)被視作開發(fā)功耗更低的旗艦顯示器的重要驅(qū)動因素，相關(guān)技術(shù)承諾助長了這一樂觀情緒。但是，材料成本高、收益低以及 Micro LED傳質(zhì)技術(shù)產(chǎn)量一直阻礙著此類顯示器的開發(fā)。此次技術(shù)聯(lián)合有效地解決了這些挑戰(zhàn)，Veeco和ALLOS將繼續(xù)與客戶合作，旨在進一步改善硅基氮化鎵外延片和Micro LED傳質(zhì)技術(shù)。
2018年11月12日，兩家公司將攜手在日本金澤市召開的國際氮化物半導體工作研討會 (IWN) 上詳細展示他們的突破成就。
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