臺(tái)亞昨（23）日召開股東會(huì)，新任總經(jīng)理衣冠君會(huì)后受訪時(shí)表示，目前積極轉(zhuǎn)型往半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，擴(kuò)大招募半導(dǎo)體專業(yè)經(jīng)理人及研發(fā)人員加入團(tuán)隊(duì)，目標(biāo)在搶攻次世代感測元件于工業(yè)應(yīng)用、電動(dòng)車電源、感測芯片等利基市場。
除了次世代感測元件，臺(tái)亞2021年開始籌建積亞半導(dǎo)體（Pro-Asia Semiconductor Corporation）專注開發(fā)以碳化硅（SiC）襯底的高功率元件。今年更進(jìn)一步規(guī)劃下半年擴(kuò)大臺(tái)亞現(xiàn)有廠房潔凈室區(qū)域，投入氮化鎵（GaN）磊晶及元件的研發(fā)及生產(chǎn)，預(yù)計(jì)于2023年前提供樣品供合作客戶進(jìn)行驗(yàn)證。
臺(tái)亞新任總經(jīng)理衣冠君表示，臺(tái)亞過去在磊晶及分離器件制造技術(shù)上已有相當(dāng)深厚的基礎(chǔ)，將擴(kuò)大加強(qiáng)與上游IC設(shè)計(jì)公司及下游封測及產(chǎn)品的合作，將可于短時(shí)間內(nèi)制作出高電子遷移率晶體管（Power HEMT）樣品，提供給客戶進(jìn)行驗(yàn)證。
臺(tái)亞將以氮化鎵為基礎(chǔ)的第三代半導(dǎo)體的功率器件作為主要產(chǎn)品，其相對于硅基的元件可以耐更高的電壓，比起碳化硅的元件能有有更低的功耗，未來將結(jié)合氮化鎵與碳化硅，發(fā)展出高頻高效的射頻器件及模塊。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
臺(tái)亞新總經(jīng)理衣冠君曾任半導(dǎo)體設(shè)備大廠科林研發(fā)資深總監(jiān)、德州儀器、茂德、茂硅等半導(dǎo)體公司，擁有超過20年豐富半導(dǎo)體制造廠管理經(jīng)驗(yàn)。臺(tái)亞半導(dǎo)體公司自2019年由光磊科技更名以后，持續(xù)推動(dòng)產(chǎn)品由光電朝向硅電多元化發(fā)展。
而為應(yīng)對市場需求成長，臺(tái)亞于今年將投入8億元新臺(tái)幣擴(kuò)產(chǎn)高階產(chǎn)品，包括高性能光耦元件、長波長VCSEL/LED、與長波長PD等，新產(chǎn)能自今年上半年開始拉升。
而在23日股東會(huì)會(huì)后衣冠君總經(jīng)理受訪時(shí)更進(jìn)一步揭露，臺(tái)亞在于第三代半導(dǎo)體的時(shí)程規(guī)劃與目標(biāo)，未來將持續(xù)采穩(wěn)健的投資以支持第三代半導(dǎo)體研發(fā)及應(yīng)用，爭取在全球眾多競爭者中脫穎而出。（來源：工商時(shí)報(bào)）
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