2022年12月30日，2022年株洲市項目建設“百日攻堅”行動重大項目開竣工活動正式舉行?；顒蝇F(xiàn)場共有76個項目集中開竣工，總投資306.9億元，半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目便是其中一個。
據(jù)悉，SiC刻蝕環(huán)是半導體材料在等離子刻蝕環(huán)節(jié)中的關鍵耗材。SiC刻蝕環(huán)對純度要求極高，只能采用CVD工藝進行生長SiC厚層塊體，隨后經(jīng)精密加工而制得，主要用于半導體刻蝕工藝的制備環(huán)節(jié)。
本次竣工的半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目位于株洲高新區(qū)新馬工業(yè)園，總投資約2.5億元，占地約60畝，主要進行半導體用碳化硅蝕刻環(huán)的研發(fā)、制造。項目全部建成運營后，預計年均營收將達6億元。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
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該項目由湖南德智新材料有限公司投資，該公司是一家專業(yè)從事碳化硅納米鏡面涂層及陶瓷基復合材料研發(fā)，生產(chǎn)和銷售的高新技術企業(yè)。2020年，德智新材自主設計的國內最大化學氣相沉積設備正式投入使用，SiC涂層石墨基座順利實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。（化合物半導體市場 Winter整理）
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