2月4日，晶盛機(jī)電宣布成功發(fā)布6英寸雙片式SiC碳化硅外延設(shè)備，標(biāo)志著晶盛機(jī)電在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重大突破。
據(jù)介紹，晶盛機(jī)電用時(shí)兩年開展6英寸雙片式SiC外延設(shè)備的研發(fā)、測(cè)試與驗(yàn)證，在外延產(chǎn)能、運(yùn)營(yíng)成本等方面已取得國(guó)際領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，與單片設(shè)備相比，新設(shè)備單臺(tái)產(chǎn)能增加70%，單片運(yùn)營(yíng)成本降幅可達(dá)30%以上，將對(duì)新能源產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生積極影響。
發(fā)布會(huì)當(dāng)天，晶盛機(jī)電也重點(diǎn)介紹了8英寸SiC襯底片。據(jù)介紹，晶盛機(jī)電經(jīng)過(guò)一年的研發(fā)，成功生長(zhǎng)出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸N型SiC晶體，完成了6英寸到8英寸的擴(kuò)徑和質(zhì)量迭代，實(shí)現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā)，晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當(dāng)，今年二季度將實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)，有望助力我國(guó)在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)實(shí)現(xiàn)自主可控。
晶盛機(jī)電戰(zhàn)略定位先進(jìn)材料、先進(jìn)裝備市場(chǎng)，圍繞硅、藍(lán)寶石、碳化硅三大主要半導(dǎo)體材料開發(fā)一系列關(guān)鍵設(shè)備，業(yè)務(wù)同時(shí)延伸至化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。
SiC設(shè)備和SiC材料是晶盛機(jī)電當(dāng)下發(fā)展的重點(diǎn)，設(shè)備涵蓋長(zhǎng)晶、拋光和外延設(shè)備，其中，SiC外延設(shè)備已實(shí)現(xiàn)批量銷售；材料主要是6英寸導(dǎo)電型襯底，現(xiàn)階段，晶盛機(jī)電正在寧夏建設(shè)“碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項(xiàng)目”，投產(chǎn)后將年產(chǎn)40萬(wàn)片6英寸及以上導(dǎo)電型和半絕緣型SiC襯底。
上述最新成果之外，晶盛機(jī)電去年也取得了多項(xiàng)研究成果：首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐；建設(shè)了6英寸SiC晶體生長(zhǎng)、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實(shí)驗(yàn)線，實(shí)驗(yàn)線產(chǎn)品已通過(guò)下游部分客戶驗(yàn)證。
得益于第三代半導(dǎo)體及其他業(yè)務(wù)不斷取得突破，晶盛機(jī)電2022年業(yè)績(jī)預(yù)增，總營(yíng)收約101.34—113.27億元，同比增長(zhǎng)70%-90%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)約27.39—30.81億元，同比增長(zhǎng)60%-80%。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Jenny整理）
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