2月3日，“復(fù)旦大學(xué)寧波研究院重大產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目-清純半導(dǎo)體研發(fā)基地啟用儀式”成功舉辦。
據(jù)了解，項(xiàng)目總面積4600平米，建設(shè)四大實(shí)驗(yàn)平臺(tái)：一樓建設(shè)器件性能測(cè)試平臺(tái)、晶圓測(cè)試及老化平臺(tái)；三樓建設(shè)可靠性及應(yīng)用平臺(tái)；四樓建設(shè)器件測(cè)試及老化平臺(tái)。
Source：清純半導(dǎo)體
實(shí)驗(yàn)室總規(guī)劃面積超2500平米，配備了國(guó)際領(lǐng)先的功率器件參數(shù)測(cè)試及可靠性設(shè)備，平臺(tái)總投入近億元，具備支撐月產(chǎn)近千萬(wàn)顆碳化硅器件的測(cè)試及篩選能力。
清純半導(dǎo)體成立于2021年3月，是一家聚焦于碳化硅(SiC)功率芯片的高科技設(shè)計(jì)公司，專業(yè)從事高端SiC功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，于12月完成由高瓴創(chuàng)投領(lǐng)投的數(shù)億元首輪融資。
公司擁有國(guó)際領(lǐng)先水平的SiC器件設(shè)計(jì)及工藝團(tuán)隊(duì)，核心團(tuán)隊(duì)從事SiC工藝和器件20余年，研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化多代SiC功率器件，并通過(guò)車規(guī)級(jí)測(cè)試。
成立以來(lái)，清純半導(dǎo)體突破不斷。先后推出國(guó)內(nèi)首款15V驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET及國(guó)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET，并通過(guò)AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證和HV-H3TRB測(cè)試。
當(dāng)下，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來(lái)爆發(fā)。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，為進(jìn)一步提升電動(dòng)汽車動(dòng)力性能，全球各大車企已將目光鎖定在新一代SiC功率元件，并陸續(xù)推出了多款搭載相應(yīng)產(chǎn)品的高性能車型。
隨著越來(lái)越多車企開(kāi)始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，TrendForce集邦咨詢預(yù)估2022年車用SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10.7億美元，至2026年將攀升至39.4億美元。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。