2月4日，晶盛機電宣布成功發(fā)布6英寸雙片式SiC碳化硅外延設備，標志著晶盛機電在第三代半導體領域取得重大突破。
據介紹，晶盛機電用時兩年開展6英寸雙片式SiC外延設備的研發(fā)、測試與驗證，在外延產能、運營成本等方面已取得國際領先優(yōu)勢，與單片設備相比，新設備單臺產能增加70%，單片運營成本降幅可達30%以上，將對新能源產業(yè)產生積極影響。
發(fā)布會當天，晶盛機電也重點介紹了8英寸SiC襯底片。據介紹，晶盛機電經過一年的研發(fā)，成功生長出行業(yè)領先的8英寸N型SiC晶體，完成了6英寸到8英寸的擴徑和質量迭代，實現8英寸拋光片的開發(fā)，晶片性能參數與6英寸晶片相當，今年二季度將實現小批量生產，有望助力我國在第三代半導體材料領域關鍵核心技術實現自主可控。
晶盛機電戰(zhàn)略定位先進材料、先進裝備市場，圍繞硅、藍寶石、碳化硅三大主要半導體材料開發(fā)一系列關鍵設備，業(yè)務同時延伸至化合物半導體材料領域。
SiC設備和SiC材料是晶盛機電當下發(fā)展的重點，設備涵蓋長晶、拋光和外延設備，其中，SiC外延設備已實現批量銷售；材料主要是6英寸導電型襯底，現階段，晶盛機電正在寧夏建設“碳化硅襯底晶片生產項目”，投產后將年產40萬片6英寸及以上導電型和半絕緣型SiC襯底。
上述最新成果之外，晶盛機電去年也取得了多項研究成果：首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐；建設了6英寸SiC晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實驗線，實驗線產品已通過下游部分客戶驗證。
得益于第三代半導體及其他業(yè)務不斷取得突破，晶盛機電2022年業(yè)績預增，總營收約101.34—113.27億元，同比增長70%-90%；歸屬于上市公司股東的凈利潤約27.39—30.81億元，同比增長60%-80%。（化合物半導體市場Jenny整理）
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