傳三星將為英飛凌代工功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 03 月 10 日 17:12 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

據(jù)韓媒昨日(3/10)日?qǐng)?bào)道,三星晶圓代工部(Samsung Foundry)已經(jīng)從去年開(kāi)始為英飛凌生產(chǎn)MOSFET,未來(lái)有望為其代工基于SiC/GaN的電源管理芯片。

韓媒表示,知情人士透露,雖然三星晶圓代工部到目前為止簽訂的代工合同主要是生產(chǎn)通用型電源管理芯片,但英飛凌正在下更多的單。未來(lái),三星晶圓代工部有可能將為英飛凌代工IGBT或基于SiC/GaN的電源管理芯片。

據(jù)悉,三星與英飛凌之間合作已久,合作成效于去年開(kāi)始顯現(xiàn)。目前,英飛凌已躍升全球電源管理IC領(lǐng)頭羊。但韓媒指出,三星晶圓代工部在電源管理芯片等模擬半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展不溫不火。

若此消息為真,三星晶圓代工部未來(lái)不僅收入渠道增加,收入來(lái)源也將顯著增長(zhǎng)。按照英飛凌當(dāng)前的發(fā)展規(guī)劃,SiC/GaN第三代半導(dǎo)體是重點(diǎn)發(fā)展方向,英飛凌近兩年來(lái)持續(xù)擴(kuò)充第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能,還于最近收購(gòu)了氮化鎵芯片龍頭GaN Systems,決心由此可見(jiàn)一斑。

因此,結(jié)合第三代半導(dǎo)體廣闊的市場(chǎng)需求,如果拿下英飛凌SiC/GaN電源管理芯片的代工訂單,三星晶圓代工部未來(lái)有望打破韓媒所說(shuō)的不溫不火局面,取得更進(jìn)一步的發(fā)展。(化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Jenny編譯)

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