據(jù)韓媒報道,三星電子正在加速進軍下一代功率半導體市場,在組建與SiC和GaN器件開發(fā)相關(guān)的功率半導體TF后,目前正積極投資研發(fā)和原型生產(chǎn)所需的設(shè)施。
報道稱,三星電子正試圖引進更先進的8英寸碳化硅工藝設(shè)備。據(jù)了解,迄今為止完成的投資約在1000億至2000億韓元(6-12億人民幣)之間。投資規(guī)模足以實現(xiàn)原型的量產(chǎn),而不僅僅是簡單的工藝開發(fā)。
與硅基半導體相比,SiC 半導體具有優(yōu)越的高壓和高溫性能。作為用于電氣設(shè)備、可再生能源和工業(yè)用途的半導體器件,它備受關(guān)注。開發(fā)用于電動汽車電子產(chǎn)品電源管理的半導體器件也很活躍。該市場目前由德國、美國和日本的半導體公司主導。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體研究處最新報告《2023 SiC功率半導體市場分析報告-Part1》分析,隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化,將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元,年成長41.4%。
與此同時,受惠于下游應用市場的強勁需求,TrendForce集邦咨詢預期,至2026年SiC功率元件市場規(guī)模可望達53.3億美元,其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源。
事實上,韓國早在2000年就開始布局第三代半導體產(chǎn)業(yè)。近年來不斷加大力度,頻頻發(fā)力。政策利好,企業(yè)擴產(chǎn)收購不斷。
2000年韓國制訂了GaN開發(fā)計劃,政府在2004~2008年投入4.72億美元,企業(yè)投入7.36億美元以支持韓國進行光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展,使韓國成為亞洲最大的光電子器件生產(chǎn)國。
2009年韓國發(fā)布《綠色成長國家戰(zhàn)略》,全力發(fā)展環(huán)保節(jié)能產(chǎn)業(yè),并致力于使得該產(chǎn)業(yè)成為韓國經(jīng)濟增長的主要動力之一。
2010—2012年間投入約4500萬美金以推動MOCVD機臺實現(xiàn)國產(chǎn)化、引進制程自動化系統(tǒng)并開發(fā)高速封裝、監(jiān)測設(shè)備。
2016年,韓國圍繞Si基GaN和SiC器件啟動功率電子國家項目,同時重點圍繞高純SiC粉末制備、高純SiC多晶陶瓷、高質(zhì)量SiC單晶生長、高質(zhì)量SiC外延材料生長4個方向,開展了國家研發(fā)項目。
2017年,韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部(MOTIE)舉辦研討會,為了強化系統(tǒng)半導體的競爭力,產(chǎn)、官、學三界聯(lián)手投資4645億韓元(4.15億美元),開發(fā)低能源、超輕量和超高速的半導體芯片。
這當中1326億韓元用于開發(fā)先進超輕量傳感器、837億韓元投入低耗能的SiC功率半導體,47億韓元投資超高速存儲器和系統(tǒng)整合設(shè)計技術(shù)。
2021年,韓國政府對第三代半導體的發(fā)展越來越重視。韓國政府發(fā)布了一份先進功率半導體研發(fā)和產(chǎn)能提升計劃,計劃到2025年將市場競爭力提升到全球水平,以便到那一年韓國至少有5種先進的功率半導體產(chǎn)品上市。
同時,韓國宣布啟動“X-band GaN半導體集成電路”國產(chǎn)化課題。韓國無線通信設(shè)備半導體企業(yè)RFHIC(艾爾福)被選定為課題牽頭企業(yè),SK Siltron將參與SiC基板/GaN樹脂的制作,LIG nex1負責系統(tǒng)的驗證,韓國電子通信研究院(ETRI)的半導體工廠將被用來進行GaN MMIC的制作。
2022年,韓國推出其由國內(nèi)半導體企業(yè)、大學、研究所等組成的“新一代晶體工程部”。以開發(fā)新一代功率半導體,應對碳化硅 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 和氧化鎵 (Ga203) 等快速增長的全球功率半導體市場。
其中,LX Semicon、SK siltron、Hana Materials、STI等30家功率半導體公司將參與材料、零件、設(shè)備的功率半導體開發(fā)。
LX Semicon將開發(fā)SiC半導體,SK siltron將負責SiC襯底。Hana Materials和STI將開發(fā)SiC半導體零件和設(shè)備技術(shù)。光云大學、嘉泉大學和國民大學將支持SiC半導體研發(fā)基礎(chǔ)設(shè)施,國立納米材料研究所和韓國陶瓷工程技術(shù)研究所將提供技術(shù)支持。
目前,在全球第三代半導體的爭奪戰(zhàn)中,韓國正在向歐美日巨頭發(fā)起沖擊。(文:集邦化合物半導體 Doris整理)
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