據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子正在加速進(jìn)軍下一代功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，在組建與SiC和GaN器件開(kāi)發(fā)相關(guān)的功率半導(dǎo)體TF后，目前正積極投資研發(fā)和原型生產(chǎn)所需的設(shè)施。
報(bào)道稱，三星電子正試圖引進(jìn)更先進(jìn)的8英寸碳化硅工藝設(shè)備。據(jù)了解，迄今為止完成的投資約在1000億至2000億韓元（6-12億人民幣）之間。投資規(guī)模足以實(shí)現(xiàn)原型的量產(chǎn)，而不僅僅是簡(jiǎn)單的工藝開(kāi)發(fā)。
與硅基半導(dǎo)體相比，SiC 半導(dǎo)體具有優(yōu)越的高壓和高溫性能。作為用于電氣設(shè)備、可再生能源和工業(yè)用途的半導(dǎo)體器件，它備受關(guān)注。開(kāi)發(fā)用于電動(dòng)汽車電子產(chǎn)品電源管理的半導(dǎo)體器件也很活躍。該市場(chǎng)目前由德國(guó)、美國(guó)和日本的半導(dǎo)體公司主導(dǎo)。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體研究處最新報(bào)告《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告-Part1》分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.8億美元，年成長(zhǎng)41.4%。
與此同時(shí)，受惠于下游應(yīng)用市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車及可再生能源。
事實(shí)上，韓國(guó)早在2000年就開(kāi)始布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。近年來(lái)不斷加大力度，頻頻發(fā)力。政策利好，企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)收購(gòu)不斷。
2000年韓國(guó)制訂了GaN開(kāi)發(fā)計(jì)劃，政府在2004~2008年投入4.72億美元，企業(yè)投入7.36億美元以支持韓國(guó)進(jìn)行光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展，使韓國(guó)成為亞洲最大的光電子器件生產(chǎn)國(guó)。
2009年韓國(guó)發(fā)布《綠色成長(zhǎng)國(guó)家戰(zhàn)略》，全力發(fā)展環(huán)保節(jié)能產(chǎn)業(yè)，并致力于使得該產(chǎn)業(yè)成為韓國(guó)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿χ弧?/p>
2010—2012年間投入約4500萬(wàn)美金以推動(dòng)MOCVD機(jī)臺(tái)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化、引進(jìn)制程自動(dòng)化系統(tǒng)并開(kāi)發(fā)高速封裝、監(jiān)測(cè)設(shè)備。
2016年，韓國(guó)圍繞Si基GaN和SiC器件啟動(dòng)功率電子國(guó)家項(xiàng)目，同時(shí)重點(diǎn)圍繞高純SiC粉末制備、高純SiC多晶陶瓷、高質(zhì)量SiC單晶生長(zhǎng)、高質(zhì)量SiC外延材料生長(zhǎng)4個(gè)方向，開(kāi)展了國(guó)家研發(fā)項(xiàng)目。
2017年，韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部（MOTIE）舉辦研討會(huì)，為了強(qiáng)化系統(tǒng)半導(dǎo)體的競(jìng)爭(zhēng)力，產(chǎn)、官、學(xué)三界聯(lián)手投資4645億韓元（4.15億美元），開(kāi)發(fā)低能源、超輕量和超高速的半導(dǎo)體芯片。
這當(dāng)中1326億韓元用于開(kāi)發(fā)先進(jìn)超輕量傳感器、837億韓元投入低耗能的SiC功率半導(dǎo)體，47億韓元投資超高速存儲(chǔ)器和系統(tǒng)整合設(shè)計(jì)技術(shù)。
2021年，韓國(guó)政府對(duì)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展越來(lái)越重視。韓國(guó)政府發(fā)布了一份先進(jìn)功率半導(dǎo)體研發(fā)和產(chǎn)能提升計(jì)劃，計(jì)劃到2025年將市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力提升到全球水平，以便到那一年韓國(guó)至少有5種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品上市。
同時(shí)，韓國(guó)宣布啟動(dòng)“X-band GaN半導(dǎo)體集成電路”國(guó)產(chǎn)化課題。韓國(guó)無(wú)線通信設(shè)備半導(dǎo)體企業(yè)RFHIC（艾爾福）被選定為課題牽頭企業(yè)，SK Siltron將參與SiC基板/GaN樹(shù)脂的制作，LIG nex1負(fù)責(zé)系統(tǒng)的驗(yàn)證，韓國(guó)電子通信研究院(ETRI)的半導(dǎo)體工廠將被用來(lái)進(jìn)行GaN MMIC的制作。
2022年，韓國(guó)推出其由國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)、大學(xué)、研究所等組成的“新一代晶體工程部”。以開(kāi)發(fā)新一代功率半導(dǎo)體，應(yīng)對(duì)碳化硅 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 和氧化鎵 (Ga203) 等快速增長(zhǎng)的全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。
其中，LX Semicon、SK siltron、Hana Materials、STI等30家功率半導(dǎo)體公司將參與材料、零件、設(shè)備的功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)。
LX Semicon將開(kāi)發(fā)SiC半導(dǎo)體，SK siltron將負(fù)責(zé)SiC襯底。Hana Materials和STI將開(kāi)發(fā)SiC半導(dǎo)體零件和設(shè)備技術(shù)。光云大學(xué)、嘉泉大學(xué)和國(guó)民大學(xué)將支持SiC半導(dǎo)體研發(fā)基礎(chǔ)設(shè)施，國(guó)立納米材料研究所和韓國(guó)陶瓷工程技術(shù)研究所將提供技術(shù)支持。
目前，在全球第三代半導(dǎo)體的爭(zhēng)奪戰(zhàn)中，韓國(guó)正在向歐美日巨頭發(fā)起沖擊。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理）
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