3月31日，汽車零部件供應商日本電裝（Denso Corp.）宣布已開發(fā)首款SiC碳化硅逆變器，該逆變器集成在BluE Nexus的電驅模塊eAxle中，已應用到最近剛上市的雷克薩斯首款電動汽車RZ上。
來源：日本電裝
據介紹，日本電裝逆變器所用的SiC功率半導體采用其專有的溝槽型MOS結構，能夠通過減少因散熱導致的功耗問題，提升每顆芯片的輸出功率，而且晶體管能夠實現高壓、低導通電阻等性能。
值得注意的是，該SiC逆變器的外延片由日本Resonac提供，并聯合豐田中心研發(fā)實驗室（Toyota Central R&D Labs）共同開發(fā)，還結合了日本國家研發(fā)機構NEDO（New Energy and Industrial Technology Development Organization）的研究成果。
通常情況下，晶體中原子排列亂序會阻礙器件的正常運作，但基于上述研發(fā)工作，日本電裝成功將晶體缺陷數量減半，從而提升了SiC功率半導體器件的質量，確保生產的穩(wěn)定性。
來源：日本電裝
來源：日本電裝
日本電裝將其SiC技術命名為REVOSIC，2020年12月上市的豐田Mirai便采用了基于REVOSIC技術的功率晶體管。未來，日本電裝計劃依托這項技術全面開發(fā)從晶圓到半導體器件和模塊（如電源板）的技術。（化合物半導體市場Jenny編譯）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。