安森美半導(dǎo)體公司高管周二表示，該公司正在考慮投資 20 億美元用于提高廣泛用于幫助擴(kuò)大電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程的碳化硅芯片的生產(chǎn)。公司高管在分析師介紹中表示，公司正在考慮在美國(guó)、捷克共和國(guó)或韓國(guó)進(jìn)行擴(kuò)張。該公司已經(jīng)在這些國(guó)家/地區(qū)中的每一個(gè)國(guó)家/地區(qū)設(shè)有工廠。
ON Semiconductor 是汽車行業(yè)的長(zhǎng)期供應(yīng)商，既供應(yīng)用于電動(dòng)汽車傳動(dòng)系統(tǒng)的芯片，也供應(yīng)廣泛的其他芯片，如有助于駕駛輔助系統(tǒng)的攝像頭和傳感器。該公司一半以上的芯片都在內(nèi)部生產(chǎn)，并投資了一條完整的節(jié)能碳化硅芯片供應(yīng)鏈，在內(nèi)部生產(chǎn)原材料和成品芯片。
安森美半導(dǎo)體首席執(zhí)行官 Hassane El-Khoury 在接受采訪時(shí)表示，該公司的碳化硅芯片生產(chǎn)目前集中在其位于韓國(guó)富川市的一家工廠。該公司計(jì)劃尋找“端到端”生產(chǎn)方式，這意味著無(wú)論選擇哪個(gè)地點(diǎn)，都可以將原始碳化硅粉末轉(zhuǎn)化為芯片。
El-Khoury 表示，在多個(gè)地方復(fù)制整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程已成為汽車制造商的一個(gè)重要賣點(diǎn)，他們從 2021 年開始仍持謹(jǐn)慎態(tài)度，當(dāng)時(shí)芯片重鎮(zhèn)德克薩斯州的凍結(jié)和亞洲芯片供應(yīng)商的短缺導(dǎo)致汽車生產(chǎn)停產(chǎn)線。
“擁有一個(gè)地理分布的供應(yīng)鏈總是好的，”El-Khoury 說(shuō)。
在周四的金融分析師日上，高管們表示，他們的目標(biāo)是到 2027 年占據(jù)碳化硅汽車芯片市場(chǎng) 40% 的份額。該公司預(yù)測(cè)，該領(lǐng)域和其他領(lǐng)域的增長(zhǎng)將幫助其收入以 10% 至 12% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，銷售額從 2022 年的 83 億美元擴(kuò)大到 2027 年的中值 139 億美元。
同期，安森美半導(dǎo)體預(yù)計(jì)自由現(xiàn)金流將從 2022 年的 16 億美元擴(kuò)大到 2027 年的 35 億美元至 40 億美元。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
下一步，溝槽式SiC
據(jù)報(bào)道，Onsemi 正在開發(fā)使用溝槽結(jié)構(gòu)而不是平面結(jié)構(gòu)的碳化硅 MOSFET，將于今年晚些時(shí)候推出，預(yù)計(jì) 2024 年會(huì)出樣。
該公司在捷克共和國(guó)布爾諾附近擁有 SiC 外延片工廠，并在韓國(guó)的一家晶圓廠進(jìn)行設(shè)備制造。轉(zhuǎn)向溝槽結(jié)構(gòu)允許在 150 毫米（6 英寸）晶圓上構(gòu)建更多器件，從而降低器件成本。該公司還有一個(gè)用于 200 毫米（8 英寸）SiC 晶圓生產(chǎn)的工程計(jì)劃。
這是繼公司推出導(dǎo)通電阻更低的最新一代 1200 V EliteSiC M3S 器件之后做出的決定 . 這些產(chǎn)品針對(duì) 800 V 電動(dòng)汽車 (EV) 車載充電器 (OBC) 和能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，例如 EV 充電、太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)。
EliteSiC M3S 器件還用于采用標(biāo)準(zhǔn) F2 封裝的低 Rds(on) 半橋功率集成模塊 (PIM)。這些模塊針對(duì)工業(yè)應(yīng)用，非常適合 DC-AC、AC-DC 和 DC-DC 大功率轉(zhuǎn)換級(jí)。它們通過(guò)優(yōu)化的直接鍵合銅設(shè)計(jì)提供更高級(jí)別的集成，以實(shí)現(xiàn)并聯(lián)開關(guān)之間的平衡電流共享和熱分布。PIM 旨在為能源基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車直流快速充電和不間斷電源 (UPS) 提供高功率密度。
“onsemi 最新一代的汽車和工業(yè) EliteSiC M3S 產(chǎn)品將使設(shè)計(jì)人員能夠減少他們的應(yīng)用足跡和系統(tǒng)冷卻要求，”onsemi 高級(jí)副總裁兼高級(jí)電源部門總經(jīng)理 Asif Jakwani 說(shuō)?！斑@有助于設(shè)計(jì)人員開發(fā)具有更高效率和更高功率密度的大功率轉(zhuǎn)換器?！?/p>
符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的 1200 V EliteSiC MOSFET 專為高達(dá) 22 kW 的大功率 OBC 和高壓至低壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器量身定制。M3S 技術(shù)專為高速開關(guān)應(yīng)用而開發(fā)，具有 XXX 的開關(guān)損耗品質(zhì)因數(shù)。（文：半導(dǎo)體行業(yè)觀察編譯自CNA）
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