據(jù)外媒報道，韓國晶圓代工大廠東部高科（DB HiTek）宣布正在加大力度研發(fā)SiC、GaN功率半導體器件，并已為此引進了生產(chǎn)所需的核心設備。
據(jù)了解，東部高科專業(yè)從事8英寸晶圓代工，于2021年底宣布將在2022年一季度開發(fā)基于下一代半導體材料的功率半導體，同步發(fā)展SiC和GaN技術(shù)。
在GaN領(lǐng)域，東部高科在2022年初公布了在硅晶圓上生長8英寸GaN半導體元件的計劃。據(jù)其介紹，采用硅基GaN技術(shù)可提升半導體制造的競爭力，從而簡化晶圓工藝，提高晶圓代工廠的盈利能力。為此，東部高科積極推進這個計劃，并于2022年9月與韓國半導體公司A-pro Semicon達成合作，雙方正在協(xié)同開發(fā)8英寸GaN功率半導體技術(shù)。
在SiC領(lǐng)域，東部高科主要專注于開發(fā)6-8英寸SiC功率半導體，正在積極建設相關(guān)產(chǎn)線，并已參與韓國國家政策項目，與釜山技術(shù)園合作開發(fā)SiC。針對汽車應用市場，盡管目前6英寸晶圓是主流，但東部高科的目標主要還是在于8英寸晶圓。
據(jù)悉，由于市場復蘇緩慢，東部高科的8英寸晶圓廠運營預計將受到影響，而轉(zhuǎn)向12英寸晶圓廠運營的問題仍然存在。在此背景下，東部高科未來的發(fā)展將集中在GaN和SiC等下一代功率半導體上。
不難發(fā)現(xiàn)，韓國另一大晶圓代工廠三星今年也持續(xù)加大了對第三代半導體市場的布局，可以看到，第三代半導體這一賽道有利于韓國廠商拓寬利潤增長點，在韓國政府對第三代半導體的大力支持和推動下，包括三星、東部高科在內(nèi)的韓國廠商有望加速取得技術(shù)突破和拓展業(yè)務，進一步縮短與歐美廠商之間的差距。（化合物半導體市場Jenny整理）
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