三菱電機(jī)新SiC工廠將于4月開建

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 03 月 14 日 17:50 | 分類 企業(yè)

3月14日,據(jù)日經(jīng)網(wǎng)消息,三菱電機(jī)將于4月開始在熊本縣菊池市建設(shè)新SiC廠房。

三菱電機(jī)將投資約1,000億日元(折合人民幣約48.56億元)來生產(chǎn)具有高節(jié)能性能的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體,該廠房計(jì)劃于2026年4月投入運(yùn)營。三菱電機(jī)表示,與2022年相比,公司2026年的晶片產(chǎn)能將擴(kuò)大約5倍。

據(jù)介紹,新大樓共六層,總建筑面積約42,000平方米。它具備生產(chǎn)直徑為200毫米(8 英寸)的 SiC 晶圓的功率半導(dǎo)體的前端工藝。所有的工序?qū)⒔尤胱詣?dòng)輸送系統(tǒng),打造高效率生產(chǎn)線。三菱電機(jī)計(jì)劃根據(jù)不斷增長的需求逐步提高產(chǎn)能。

在當(dāng)天舉行的奠基儀式上,三菱電機(jī)高級執(zhí)行官、半導(dǎo)體和器件部門總經(jīng)理Masayoshi Takemi強(qiáng)調(diào):“功率半導(dǎo)體將在實(shí)現(xiàn)脫碳社會(huì)方面發(fā)揮重要作用。作為一家專門生產(chǎn)SiC晶片的新工廠,我們也在考慮節(jié)能節(jié)水事宜”。

在電動(dòng)汽車(EV)普及的背景下,三菱電機(jī)決定建設(shè)新工廠,是為了滿足市場對功率半導(dǎo)體日益增長的需求。

文:集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯

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