8英寸碳化硅,天科合達(dá)北京二期項(xiàng)目正式開(kāi)工

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 11 月 13 日 15:53 | 分類(lèi) 功率

11月12日,北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“天科合達(dá)”)“第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目”開(kāi)工儀式在北京順利舉行。

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據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體此前報(bào)道,二期項(xiàng)目位于北京市大興區(qū)大興新城東南片區(qū)0605-022C地塊為現(xiàn)有工程?hào)|側(cè)空地;項(xiàng)目總占地面積52790.032m2,總建筑面積105913.29m2,包括生產(chǎn)廠房、化學(xué)品庫(kù)、危廢庫(kù)、一般固廢庫(kù)、綜合樓、門(mén)衛(wèi)等。

公司擬購(gòu)置長(zhǎng)晶及附屬、晶體加工、晶片加工等工藝設(shè)備,新建6-8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線及研發(fā)中心,以及相關(guān)配套設(shè)施。

項(xiàng)目用于擴(kuò)大公司碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能,同時(shí)建設(shè)研發(fā)中心以對(duì)生產(chǎn)工藝和參數(shù)持續(xù)進(jìn)行優(yōu)化和完善,投產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬(wàn)片導(dǎo)電型碳化硅襯底,其中6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底23.6萬(wàn)片,8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬(wàn)片。

天科合達(dá)指出,該擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目旨在打造行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的智能化生產(chǎn)線,量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底。該項(xiàng)目全面投產(chǎn)后,公司的產(chǎn)能將得到顯著提升,進(jìn)一步鞏固其在碳化硅襯底市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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