近日，氮化鎵（GaN）射頻芯片廠商WAVICE宣布，2024年公司銷售額為293億韓元。隨著國(guó)防訂單的全面量產(chǎn)，銷售額同比增長(zhǎng)73%。
WAVICE表示：“我們參與的開(kāi)發(fā)項(xiàng)目已陸續(xù)轉(zhuǎn)為量產(chǎn)，包括2023年簽署了一份價(jià)值344 億韓元的船舶用多功能雷達(dá)氮化鎵射頻模塊的量產(chǎn)合同。
資料顯示，WAVICE成立于2017年，專注于GaN半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)技術(shù)開(kāi)發(fā)，產(chǎn)品包括GaN HEMT芯片、已封裝的GaN TR以及射頻模塊，可應(yīng)用于航空航天、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施、ISM和廣播以及射頻能量領(lǐng)域。
2024年10月，WAVICE成功IPO。WAVICE表示：“作為韓國(guó)首家且唯一的GaN射頻集成半導(dǎo)體公司，WAVICE擁有自己的晶圓廠。通過(guò)芯片、封裝晶體管和模塊三大業(yè)務(wù)環(huán)節(jié)的內(nèi)部協(xié)同與反饋，我們?cè)诋a(chǎn)品技術(shù)、性能及價(jià)格方面均具備強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。”
與硅 (Si)、砷化鎵 (GaAs) 和 碳化硅（SiC）等半導(dǎo)體相比，GaN射頻半導(dǎo)體具有處理射頻功率放大功能的優(yōu)勢(shì)。在決定射頻功率放大性能的帶隙、擊穿電壓和電子遷移率方面，可以實(shí)現(xiàn)器件的高輸出、高頻和小型化。GaN射頻半導(dǎo)體的主要應(yīng)用包括先進(jìn)武器系統(tǒng)、反無(wú)人機(jī)、移動(dòng)通信基礎(chǔ)設(shè)施、衛(wèi)星和航空航天。