2月20日，歐盟委員會宣布批準德國政府對英飛凌位于德累斯頓的智能功率半導體晶圓廠授予9.2億歐元（約69.85億元人民幣）的《歐洲芯片法案》補貼，用于其在德國德累斯頓建設新的半導體制造工廠。
公開資料顯示，英飛凌的德累斯頓新晶圓廠項目整體投資規(guī)模達50億歐元，于2023年3月啟動建設，目標是在2026年投入使用，2031年達到滿負荷生產(chǎn)。建成后的工廠將主要制造分立功率器件和模擬/混合IC，其產(chǎn)品將廣泛供應于工業(yè)、汽車、消費等多個領域，滿足市場對半導體日益增長的需求。
公開資料顯示，英飛凌的德累斯頓新晶圓廠項目整體投資規(guī)模達50億歐元，于2023年3月啟動建設，目標是在2026年投入使用，2031年達到滿負荷生產(chǎn)。建成后，該工廠將制造分立功率器件和模擬/混合IC，產(chǎn)品供應工業(yè)、汽車、消費等多個領域。
英飛凌首席執(zhí)行官JochenHanebeck表示，這筆政府資金意義非凡。它不僅將加強德累斯頓、德國乃至歐洲作為半導體中心的地位，還將有力促進最先進的微電子創(chuàng)新和生產(chǎn)生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展。
除了新廠建設，在2025年，英飛凌推出了一系列創(chuàng)新產(chǎn)品和技術。
2月13日，英飛凌宣布推出首款采用先進200mm SiC晶圓技術制造的碳化硅產(chǎn)品，這標志著其SiC技術路線圖取得了重大進展。此外，其位于馬來西亞居林的制造基地正順利從150毫米晶圓向200毫米直徑晶圓轉(zhuǎn)換，其新建Module 3 廠房已準備好根據(jù)市場需求開始大規(guī)模生產(chǎn)。
在超薄功率半導體晶圓加工技術方面，英飛凌取得了突破性成果，成功推出全球最薄的硅功率晶圓，厚度僅為20微米，這一成果大幅提升了功率半導體的性能與應用潛力。
在氮化鎵（GaN）技術領域，英飛凌率先推出全球首款300mm功率氮化鎵技術。據(jù)英飛凌預測，氮化鎵將在多個行業(yè)達到應用臨界點，進一步推動能源效率提升。
?在人工智能數(shù)據(jù)中心，氮化鎵技術能提升功率密度，影響單位機架空間內(nèi)的計算能力；
?在家用電器領域，以800W應用為例，氮化鎵可助力產(chǎn)品效率提升2%，幫助制造商獲得更高能效評級；
?在電動汽車領域，基于氮化鎵的車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器將提高充電效率、功率密度和材料可持續(xù)性。隨著成本與硅接近，預計今年及未來氮化鎵的采用率將不斷提高。
此外，英飛凌近期還推出了CIPOS?Maxi智能功率模塊IM12BxxxC1系列，該系列基于1200VIGBT7和快速二極管Emcon7技術，能夠?qū)崿F(xiàn)較強控制和性能，在工業(yè)、能源等領域具有廣闊的應用前景。（集邦化合物半導體整理）
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