近日，日本半導體大廠瑞薩電子（Renesas）傳出解散其碳化硅（SiC）團隊，并取消原定于2025年初的SiC功率半導體量產計劃，這一消息在半導體行業(yè)激起千層浪。
結合多方消息顯示，目前瑞薩電子正準備出售其位于群馬縣高崎工廠的全新碳化硅設備，而其群馬縣高崎工廠或改回做傳統(tǒng)的硅基市場、部分SiC設計小產線，以及為其未來氮化鎵器件研發(fā)和生產做準備。
瑞薩此舉不僅僅是企業(yè)內部的一次調整，更是當前全球電動汽車市場變化、SiC產業(yè)競爭格局加劇以及中國半導體企業(yè)崛起等多重因素交織下的一個縮影。
01、SiC市場的多重沖擊：需求疲軟、價格“雪崩”與供應鏈困境
瑞薩此前曾對SiC寄予厚望，早在2023年7月，瑞薩就與全球SiC晶圓龍頭Wolfspeed簽署了長達10年的SiC晶圓供應協(xié)議，并為此支付了20億美元的預付款，旨在從2025年開始獲得長期、穩(wěn)定、高質量的SiC晶圓供應，以推進其SiC功率半導體的技術路線圖，拓展其在汽車、工業(yè)和能源領域的應用。然而，僅僅一年多的時間，瑞薩便傳出放棄了SiC的生產計劃，并解散了相關團隊，這背后有諸多原因。
· 市場需求疲軟與增速放緩
首先，全球電動汽車（EV）市場增速放緩直接影響了SiC的需求。SiC功率半導體作為電動汽車電驅動系統(tǒng)的核心組件，其市場表現(xiàn)與EV銷量緊密相連。據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，受2024年汽車和工業(yè)領域需求走弱的影響，SiC襯底出貨量增長明顯放緩。展望2025年，SiC襯底市場依然面臨需求疲軟的嚴峻挑戰(zhàn)。
另外，市場端消息顯示，這種疲軟的一個重要原因是歐洲電動汽車補貼資金的結束。歐洲多國此前為了刺激EV消費而提供的購車補貼逐步取消或減少，直接導致電動汽車的銷售增長不及預期，進而傳導至上游的SiC供應鏈，使其訂單減少。
· 激烈競爭導致價格“雪崩”
其次，SiC市場的競爭格局異常激烈，產品價格正經歷“雪崩式”下跌。隨著眾多廠商涌入SiC領域，產能逐漸釋放，但需求增長卻未能同步跟上，導致市場供過于求。據(jù)供應鏈消息，聚焦中國市場，6英寸SiC襯底晶圓報價已跌至400美元以下，價格接近生產成本線。
綜合來看，這種需求疲軟和價格戰(zhàn)的疊加效應，對SiC產業(yè)的營收造成了直接沖擊。據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，由于市場競爭的加劇和產品價格的大幅下跌，2024年全球N型（導電型）SiC襯底產業(yè)的營收同比下滑9%，降至10.4億美元。
· 合作伙伴與同行困境加劇擔憂
此外，多家同行及合作伙伴的險境也加劇了瑞薩電子對SiC市場的擔憂。瑞薩曾斥巨資與其簽署十年SiC晶圓供應協(xié)議的戰(zhàn)略伙伴Wolfspeed，近期就傳出考慮申請美國Chapter 11破產保護的消息。Wolfspeed在2025年5月初提交給美國證券交易委員會（SEC）的文件中，承認對其持續(xù)經營能力存在“重大疑慮”。作為上游核心供應商，Wolfspeed的不確定性無疑給瑞薩的SiC生產計劃帶來了巨大的供應鏈風險，而其20億美元的預付款也因此面臨潛在損失。
不僅如此，其他主要競爭對手也面臨壓力。例如，日本的羅姆公司（ROHM）就因加大SiC半導體投資而遭遇12年來首次凈虧損，而意法半導體的股價也受到SiC市場波動影響，并且其2024年第四季度營收大幅下降22.4%；英飛凌2024年第四季度的營收下降了15%，雖然在2025年第一季度展望中表現(xiàn)出一定韌性，但整體市場需求（特別是汽車領域）的疲軟依然對其業(yè)績構成壓力。英飛凌也曾因市場需求不確定性而推遲了其在馬來西亞居林的SiC工廠擴建計劃。
02、瑞薩的戰(zhàn)略抉擇：或退出生產，不棄市場
SiC市場競爭異常激烈，據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，從目前的SiC功率半導體市場格局來看，雖然意法半導體、英飛凌、安森美、Wolfspeed、羅姆、博世等歐美日廠商仍處于領先地位，但中國廠商近年來奮起直追，芯聯(lián)集成、三安光電的市場份額已來到前十。
據(jù)悉，瑞薩雖然放棄了內部生產SiC芯片，但并不打算完全退出SiC市場。相反，它可能會繼續(xù)開發(fā)自己的SiC設計，并將制造外包給代工廠（foundries），然后以自有品牌銷售成品（Compound Semiconductor News, TrendForce）。這種“退出生產但不退出市場”的策略轉變，比簡單的完全放棄更復雜，也更符合大型半導體公司在面對市場挑戰(zhàn)時通常會采取的靈活策略，
雖然瑞薩電子尚未就解散SiC團隊發(fā)布正式的官方聲明，但其高管對市場前景的看法、供應鏈伙伴的困境、以及當前SiC市場嚴重的競爭和需求放緩，都構成了其做出這一戰(zhàn)略調整的充分跡象和理由。
03、瑞薩電子轉向氮化鎵（GaN），尋找新的增長點？
與此同時，瑞薩電子在氮化鎵（GaN）領域則展現(xiàn)出積極的布局，這或許是其在功率半導體領域尋求新的增長點，并實現(xiàn)技術路線再平衡的重要信號。
4月16日，瑞薩電子與“Polar Semiconductor”達成戰(zhàn)略協(xié)議，獲得了其D-MODE硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術授權。根據(jù)協(xié)議，Polar將在其位于明尼蘇達州的8英寸車規(guī)級量產工廠，為瑞薩及其他客戶生產650V高壓硅基氮化鎵器件。雙方將共同推進GaN器件的商業(yè)化量產，重點覆蓋汽車電子、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)能源、消費電子以及航空航天與國防等關鍵領域。
圖片來源：Polar Semiconductor官網截圖
據(jù)悉，Polar Semiconductor作為美國唯一一家專門從事傳感器、電源和高壓半導體的商業(yè)代工廠，其擴產計劃（月產能將從2萬片提升至近4萬片）和美國《芯片與科學法案》的資金支持，將為瑞薩提供可靠的GaN代工能力。
值得關注的是，瑞薩在2024年初以24億人民幣全資收購了全球領先的GaN器件廠商Transphorm。通過此次收購，瑞薩獲得了Transphorm位于日本會津的AFSW晶圓廠技術資產，這意味著瑞薩將擁有GaN芯片的內部生產能力，其氮化鎵產品將主要在該工廠進行生產。
（集邦化合物半導體 竹子 整理）
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