12月19日，晶盛機電在投資者互動平臺表示，公司碳化硅（SiC）生長設(shè)備為自研自用，對外銷售SiC外延設(shè)備。SiC襯底及外延片利潤情況受其市場價格、綜合成本等因素影響，隨著公司長晶及加工技術(shù)、成本控制的不斷優(yōu)化，預(yù)期未來利潤將因此受益。
source:晶盛機電
在SiC設(shè)備方面，今年2月4日，晶盛機電成功發(fā)布6英寸雙片式SiC外延設(shè)備，標志著晶盛機電在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重大突破。
據(jù)介紹，晶盛機電用時兩年開展6英寸雙片式SiC外延設(shè)備的研發(fā)、測試與驗證，在外延產(chǎn)能、運營成本等方面已取得國際領(lǐng)先優(yōu)勢，與單片設(shè)備相比，新設(shè)備單臺產(chǎn)能增加70%，單片運營成本降幅可達30%以上。
在SiC材料方面，11月4日，晶盛機電“年產(chǎn)25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”正式簽約啟動。
據(jù)悉，此次簽約項目總投資達21.2億元。啟動儀式上，晶盛機電董事長曹建偉博士表示，本次項目啟動，是晶盛機電創(chuàng)新增長的重要方向。
伴隨著SiC襯底項目正式啟動，晶盛機電多年深耕也迎來收獲期。11月初，晶盛機電表示，公司自2017年開始SiC晶體生長設(shè)備和工藝研發(fā)，相繼成功開發(fā)6英寸、8英寸SiC晶體和襯底片，是國內(nèi)為數(shù)不多能供應(yīng)8英寸襯底片的企業(yè)。目前，公司已建設(shè)了6-8英寸SiC晶體生長、切片、拋光中試線，6英寸襯底片已通過多家下游企業(yè)驗證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片處于小批量試制階段。12月5日，晶盛機電披露最新調(diào)研紀要稱，公司正式進入了6英寸SiC襯底項目的量產(chǎn)階段。
近年來，晶盛機電SiC材料和相關(guān)設(shè)備的研發(fā)處于穩(wěn)步推進當中，助力公司業(yè)績持續(xù)增長。晶盛機電2023年第三季度財報顯示，2023年前三季度公司營收約134.62億元，同比增長80.39%；歸屬于上市公司股東的凈利潤約35.14億元，同比增長74.94%；公司研發(fā)費用8.6億元，同比增長68.83%。
截至2023年9月30日，公司未完成設(shè)備合同287.50億元，其中未完成半導(dǎo)體設(shè)備合同33.03億元（以上合同金額均含增值稅）。
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