12月26日，據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)消息，富士電機(jī)將在未來(lái)3年內(nèi)（即2024～2026年度）向半導(dǎo)體領(lǐng)域投資2000億日元（折合人民幣約100億元）。該項(xiàng)投資的重點(diǎn)將放在用于純電動(dòng)汽車（EV）電力控制等相關(guān)功率半導(dǎo)體器件上，并計(jì)劃在日本境內(nèi)工廠新建碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)線，提高產(chǎn)能。
據(jù)悉，富士電機(jī)是一家以大型電氣機(jī)器為主產(chǎn)品的日本重電機(jī)制造商，旗下主要有半導(dǎo)體、工業(yè)、能源以及食品銷售等四大核心業(yè)務(wù)。
由于SiC與傳統(tǒng)的硅（Si）相比，其禁帶寬度、導(dǎo)熱率、以及電子遷移速率都有著一定優(yōu)勢(shì)，且在車載功率器件領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。得益于此，SiC功率器件正逐步在純電動(dòng)汽車中普及開(kāi)來(lái)。諸多車企以及相應(yīng)的汽車零部件供應(yīng)商也將目光投向SiC，紛紛開(kāi)展動(dòng)作，富士機(jī)電緊跟潮流，目前已推出了兩款SiC產(chǎn)品。
source:富士電機(jī)
值得一提的是，在富士電機(jī)的當(dāng)前五年中期經(jīng)營(yíng)計(jì)劃中，公司在半導(dǎo)體行業(yè)的投資以每年400億日元（折合人民幣約20億元）的速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。而在即將到來(lái)的2024年至2026年的新三年中期計(jì)劃中，這一投資額將顯著提升至每年700億日元（折合人民幣約35億元），加速其在該領(lǐng)域的投資。
此次投資的具體項(xiàng)目是：在松本工廠（位于長(zhǎng)野縣松本市）新建一條“光刻前工程”生產(chǎn)線。這產(chǎn)線預(yù)計(jì)將在2027年之后投入運(yùn)營(yíng)，生產(chǎn)使用8英寸大型晶圓的SiC功率半導(dǎo)體。此外，富士電機(jī)還計(jì)劃從2024年起在津輕工廠（位于青森縣五所川原市）量產(chǎn)6英寸SiC功率半導(dǎo)體。通過(guò)擴(kuò)大晶圓的尺寸，單片晶圓上可切割的芯片數(shù)量將增加，有望進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）
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