3月26日，在三菱電機舉辦的主題為可持續(xù)發(fā)展倡議在線會議上，三菱電機宣布將對有望成為下一代半導體的氧化鎵（Ga2O3）進行投資研發(fā)。與主要用于電動汽車（xEV）的碳化硅（SiC）功率半導體相比，三菱電機稱這一布局是“為擴大更高電壓的市場”。
三菱電機表示，2024年~2030年，公司將投入約9000億日元（折合人民幣約430億元）用于碳化硅、氧化鎵等下一代功率半導體、材料和產品的回收利用、可再生能源等綠色領域的研發(fā)。
據了解，2023年7月，該公司宣布已投資Novel Crystal Technology（NCT），后者是一家生產用于功率半導體的氧化鎵襯底和外延片的公司。三菱電機的功率半導體設計和制造技術將與NCT的氧化鎵晶圓技術相結合。
圖片來源：拍信網正版圖庫
在這次會議上，三菱電機明確表示將投資并開始全面研發(fā)氧化鎵功率半導體。與碳化硅和氮化鎵（GaN）相比，氧化鎵具有更高的帶隙能量，在電力基礎設施、可再生能源和鐵路等需要特別高耐壓的應用中很有前途。
三菱電機還在努力增加用于器件制造的碳化硅襯底的尺寸。2023年5月，公司宣布將與美國相干（Coherent）公司共同開發(fā)尺寸為8英寸（200mm）的碳化硅襯底。
在這次發(fā)布會上，三菱電機總裁Kei Urushima表示，聯(lián)合開發(fā)將以”從Coherent接收襯底，采用我們的技術，然后將其返還給Coherent”的形式進行。
近年來三菱電機一直在向Coherent采購6英寸（150mm）碳化硅襯底。2023年10月，三菱電機和電裝公司宣布將共同向從Coherent分拆出來的碳化硅業(yè)務公司各投資5億美元，總計10億美元（折合人民幣約72億元）。（文：集邦化合物半導體Morty編譯）
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