今年以來，SiC產(chǎn)業(yè)持續(xù)火熱發(fā)展，帶動相關(guān)廠商頻頻獲得融資，其中有不少新面孔。近日，繼SiC相關(guān)拋光研磨材料廠商盈鑫半導(dǎo)體完成首輪融資后，這家SiC設(shè)備廠商也官宣跟進。
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5月11日，季華恒一（佛山）半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱季華恒一）在官網(wǎng)公布，其近日完成A輪融資。季華恒一本輪融資由優(yōu)山資本領(lǐng)投，季華璀璨（佛山）投資有限公司跟投。
作為季華實驗室（先進制造科學(xué)與技術(shù)廣東省重點實驗室）的科技成果產(chǎn)業(yè)化公司，季華恒一成立于2021年6月，專注于寬禁帶半導(dǎo)體和新能源領(lǐng)域的半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)化。著力于開發(fā)滿足高良率、穩(wěn)定生產(chǎn)需求的SiC單晶生長系統(tǒng)、SiC高溫外延生長系統(tǒng)、高溫離子注入系統(tǒng)、高溫氧化系統(tǒng)、快速退火系統(tǒng)、電子束蒸鍍系統(tǒng)、磁控濺射鍍膜系統(tǒng)等裝備。
早在2022年4月，季華實驗室成功研制出6英寸SiC高溫外延裝備，整機國產(chǎn)化率超過85%。同年11月，季華實驗室“寬禁帶半導(dǎo)體SiC高溫外延生長裝備開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”項目順利通過中期檢查。
背靠季華實驗室，季華恒一近年來穩(wěn)步推進SiC設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)品交付。去年5月，季華恒一宣布自主研發(fā)的高溫離子注入設(shè)備交付客戶，可兼容4至8英寸SiC晶片的離子注入工藝。
同年7月，季華恒一為浙江芯科半導(dǎo)體公司提供外延、光刻、高溫注入、激活退火、背面減薄、激光退火等關(guān)鍵工藝設(shè)備，成功試制首批6英寸1200V SiC JBS 晶圓樣品。經(jīng)檢測，良品率超過95%。12月，其SiC激光退火設(shè)備再次交付新訂單。
通過本輪融資，借助投資方的資金支持，季華恒一有望進一步提升品牌影響力和擴大市場份額。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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