8月18日，WaveLoad對外宣布，公司計劃明年年初量產氮化鎵外延片。
WaveLoad已在韓國京畿道華城市建成占地300平方米、潔凈度達1000級的無塵室，可批量生產氮化鎵外延片。該設施可生產4英寸和8英寸氮化鎵外延片，產能分別為2,000片/月和500片/月。目前，WaveLoad正在向多個客戶提供樣品，以便對批量生產的產品性能和質量進行評估。
WaveLoad產品主要用于有源電子掃描陣列（AESA）雷達、5G移動通信和衛(wèi)星通信等領域。
圖片來源：拍信網正版圖庫
WaveLoad計劃先從高頻、高輸出功率放大器半導體所需的4英寸碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）外延片開始量產，后續(xù)再將其產品線擴展到用于高頻、低輸出功率放大器半導體的8英寸硅基氮化鎵（GaN on Si）外延片。
此外，用于電動汽車和新能源發(fā)電與存儲系統(tǒng)（ESS）所需功率轉換的8英寸硅基氮化鎵外延片計劃于2026年底前量產。
資料顯示，WaveLoad由LG Innotek LED業(yè)務部門前主管Jun-Oh Song于2019年底成立。由于氮化鎵外延片上需要生長的襯底和材料各不相同，這增加了人們使用MOCVD設備的難度，但WaveLoad的優(yōu)勢在于其工程師曾在LG Innotek量產過用于LED發(fā)光設備的氮化鎵外延片。目前，該公司目前已擁有約160項專利。（文：集邦化合物半導體Morty整理）
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