11月8日,據(jù)國星光電官微消息,國星光電子公司風華芯電近日開發(fā)出基于扇出面板級封裝的D-mode氮化鎵半橋模塊。據(jù)介紹,該模塊相對于傳統(tǒng)鍵合線框架封裝,模塊體積減少超67%,電路板布板面積降低30%。
source:國星光電
該模塊采用風華芯電自主研發(fā)的扇出面板級封裝形式,其通過銅球鍵合工藝實現(xiàn)氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)和硅(Si MOS)芯片的凸點結(jié)構(gòu),借助再布線層(RDL)的鍍銅工藝實現(xiàn)互連,達到4個功率管有效互連效果,并形成半橋拓撲結(jié)構(gòu),實現(xiàn)模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)的高密度集成,減少產(chǎn)品體積,提升性能。
為了驗證模塊的性能,風華芯電將基于扇出面板級封裝的氮化鎵半橋模塊應用于100W開關(guān)電源中,該開關(guān)電源整體尺寸為60×50×27mm,體積有效減少,且電源峰值效率可達到95%。此外,該模塊與常規(guī)分立封裝產(chǎn)品對比,開通速度提升17.59%,開通損耗下降10.7%。
據(jù)悉,半導體封裝技術(shù)可分為基板型封裝和晶圓級封裝,基板型封裝里面產(chǎn)品有IC、MOS、功率器件等封裝類型,國星光電子公司風華芯電業(yè)務(wù)涉及基板型封裝的功率器件,已具備第三代半導體功率器件的封裝量產(chǎn)能力。
在第三代半導體領(lǐng)域,國星光電已完成氮化鎵基功率器件外延片的產(chǎn)品開發(fā);正在發(fā)力第三代半導體封測技術(shù),推出了低雜感碳化硅封裝系列產(chǎn)品、集成化GaN-IC產(chǎn)品,其中SiC-SBD產(chǎn)品已獲AEC-Q101車規(guī)級認證,碳化硅器件T0-247—2L通過了工藝驗證,具備量產(chǎn)能力。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示,2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元(約19.45億人民幣),至2030年有望上升至43.76億美元(約314.13億人民幣),CAGR(復合年增長率)高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%,汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅(qū)動等場景為核心。(來源:國星光電,集邦化合物半導體整理)
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