11月20日，據(jù)三菱電機官網(wǎng)消息，三菱電機將投資約100億日元（約4.67億人民幣）在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導體模塊封裝與測試工廠。該工廠最初于2023年3月14日宣布，預計于2026年10月開始運營。
source：三菱電機
作為功率半導體模塊封裝與測試工序的主要工廠，該工廠將整合以前分散的封裝和測試生產(chǎn)線，以簡化從零部件進貨到制造和最終發(fā)貨的生產(chǎn)流程。將實施新系統(tǒng)，以實現(xiàn)制造流程管理和產(chǎn)品運輸?shù)淖詣踊?，從而提高生產(chǎn)率。此外，三菱電機將加強從設(shè)計、開發(fā)和生產(chǎn)技術(shù)驗證到制造的一體化系統(tǒng)，以增強產(chǎn)品開發(fā)能力。
三菱電機期望新工廠能夠支持其快速穩(wěn)定地供應(yīng)產(chǎn)品，以滿足市場對功率半導體需求的預期增長。
在功率半導體業(yè)務(wù)方面，三菱電機近日宣布，其于11月14日開始提供用于電動汽車（EV）、插電式混合動力汽車（PHEV）和其他電動汽車（xEV）電驅(qū)逆變器的碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）裸片樣品。
這是三菱電機首款標準規(guī)格的SiC-MOSFET功率半導體芯片，這款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片結(jié)合了特有的芯片結(jié)構(gòu)和制造技術(shù)，有助于提升逆變器性能、延長續(xù)航里程和提高xEV的能源效率。
根據(jù)三菱電機披露的消息，其此次發(fā)布的新型功率半導體芯片是一種特有的溝槽柵SiC-MOSFET，與傳統(tǒng)的平面柵SiC-MOSFET相比，其功率損耗降低了約50%。
據(jù)悉，三菱電機于1997年開始量產(chǎn)用于xEV的功率半導體模塊，并已應(yīng)用于各種電動汽車（EV）和混合動力電動汽車（HEV）。（集邦化合物半導體Zac整理）
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