文章分類： 企業(yè)

突破，三安集成發(fā)布自研HP-SAW，可實(shí)現(xiàn)極高Q值及優(yōu)異溫漂特性

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 19 日 17:45 |
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9月19日，三安集成官方公眾號(hào)發(fā)文稱，公司基于自研鍵合多層壓電襯底技術(shù)，在新材料及新建模的基礎(chǔ)上，推出HP-SAW濾波器系列產(chǎn)品。 濾波器通過電容、電阻、電感等元件組合來濾除特定頻率外的信號(hào)，起到保留特定頻率的功能。其作為選頻過濾功能實(shí)現(xiàn)的重要器件，可以保障通訊鏈路在“特定工作頻...  [詳內(nèi)文]

拓荊科技：業(yè)績(jī)與訂單雙豐收！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 19 日 17:45 |
| 分類: 企業(yè)
拓荊科技作為國(guó)內(nèi)薄膜沉積行業(yè)領(lǐng)軍者，其產(chǎn)品線包括離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三大系列。產(chǎn)品已廣泛用于中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國(guó)內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線。 近期接受調(diào)研表示，公...  [詳內(nèi)文]

這家公司與北京大學(xué)成立第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 19 日 17:45 |
| 分類: 企業(yè)
東科半導(dǎo)體官方公眾號(hào)發(fā)文稱，9月15日，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學(xué)科學(xué)研究部謝冰部長(zhǎng)及馬鞍山市委書記袁方共同為北大-東科聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。 source:東科半導(dǎo)體 北京大學(xué)集成電路學(xué)科作為我國(guó)第一個(gè)半導(dǎo)體...  [詳內(nèi)文]

這家公司第三代半導(dǎo)體器件明年有望大量出貨

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 18 日 17:48 |
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9月15日，長(zhǎng)電科技在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司封裝的第三代半導(dǎo)體器件，已經(jīng)應(yīng)用于汽車，工業(yè)儲(chǔ)能等領(lǐng)域并進(jìn)入產(chǎn)能擴(kuò)充階段。 預(yù)計(jì)2024年起相關(guān)產(chǎn)品營(yíng)收規(guī)模有望大幅增長(zhǎng)，并在未來幾年顯著成長(zhǎng)，將有利促進(jìn)第三代半導(dǎo)體器件在全球應(yīng)用市場(chǎng)上的快速上量。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 根據(jù)Tren...  [詳內(nèi)文]

深圳院企聯(lián)手，拓展第三代半導(dǎo)體先進(jìn)材料研發(fā)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 18 日 17:45 | | 分類: 企業(yè)
近日，中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院（下文簡(jiǎn)稱“深圳先進(jìn)院”）光子信息與能源材料研究中心（下文簡(jiǎn)稱“研究中心”）與深圳市納設(shè)智能裝備有限公司（下文簡(jiǎn)稱“納設(shè)智能”）成立了先進(jìn)材料聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，推進(jìn)產(chǎn)學(xué)研深度融合。 院企強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合 據(jù)了解，研究中心成立于2008年，專注于高性能多元化合物...  [詳內(nèi)文]

比亞迪獲得“一種溝槽型半導(dǎo)體器件及其制造方法”專利授權(quán)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 15 日 17:45 |
| 分類: 企業(yè)
9月12日，比亞迪股份有限公司獲得“一種溝槽型半導(dǎo)體器件及其制造方法”專利授權(quán)，其授權(quán)公號(hào)為CN114122122B。 根據(jù)專利摘要可知，此發(fā)明屬于電氣元件領(lǐng)域，特別是涉及一種溝槽型半導(dǎo)體器件及其制造方法。 溝槽型半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體基板、漏電極區(qū)、柵電極區(qū)、源電極區(qū)和絕緣柵介質(zhì)...  [詳內(nèi)文]

10億GaN基大功率藍(lán)光半導(dǎo)體激光器項(xiàng)目開工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 15 日 17:35 |
| 分類: 企業(yè)
據(jù)長(zhǎng)江日?qǐng)?bào)報(bào)道，9月14日，2023年三季度武漢市億元以上重大項(xiàng)目集中開工活動(dòng)舉行。三季度武漢市共173個(gè)重大項(xiàng)目集中開工，總投資1465.7億元。其中，江夏區(qū)分會(huì)場(chǎng)20個(gè)重大項(xiàng)目集中開工，總投資135.4億元，其中一個(gè)項(xiàng)目是武漢鑫威源大功率藍(lán)光半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。 據(jù)悉，鑫...  [詳內(nèi)文]

臺(tái)積電擬投資1億美元入股Arm

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 15 日 10:34 |
| 分類: 企業(yè)
9月12日，臺(tái)積電召開董事會(huì)，確定將在1億美元的限度內(nèi)認(rèn)購(gòu)軟銀集團(tuán)旗下Arm的普通股票，認(rèn)購(gòu)價(jià)格將根據(jù)Arm首次公開發(fā)行的價(jià)格后確定。 市場(chǎng)消息稱，截至當(dāng)?shù)貢r(shí)間9月11日，Arm已經(jīng)獲得10倍超額認(rèn)購(gòu)，招股價(jià)也將確立在招股區(qū)間的上限，也就是每股至少51美元。 根據(jù)早先的Arm的招...  [詳內(nèi)文]

產(chǎn)能滿載，錼創(chuàng)科技擬擴(kuò)大6英寸晶圓產(chǎn)能

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 14 日 17:45 |
| 分類: 企業(yè)
錼創(chuàng)科技董事長(zhǎng)李允立日前表示，目前公司產(chǎn)能滿到年底，6英寸芯片月產(chǎn)能1,500至2,000片，未來兩至三年會(huì)是關(guān)鍵，不排除到歐洲、美洲、日本、印度進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)充。不過據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，錼創(chuàng)計(jì)劃逐步提高產(chǎn)能，到年底月產(chǎn)能拉到1萬片晶圓。 據(jù)外媒Micro LED-info報(bào)導(dǎo)，錼創(chuàng)透露正在...  [詳內(nèi)文]

這家公司SiC器件產(chǎn)品獲客戶驗(yàn)證并持續(xù)出貨

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 13 日 17:48 |
| 分類: 企業(yè)
9月12日，蘇州東微半導(dǎo)體有限公司（下文簡(jiǎn)稱“東微半導(dǎo)”）在業(yè)績(jī)說明會(huì)上表示，2023年上半年SiC器件產(chǎn)品已經(jīng)通過了客戶的驗(yàn)證并可以持續(xù)出貨。其生產(chǎn)的SiC器件能夠與傳統(tǒng)的SiC MOSFET的相互替代，實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入6.07萬元，超級(jí)硅MOSFET產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入735.43萬...  [詳內(nèi)文]