HKC惠科微間距LED大屏技術(shù)取得突破

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 11:26 | 分類 氮化鎵GaN

近日,HKC惠科成功完成全球首款硅基GaN單芯集成全彩Micro-LED芯片 (SiMiP)在微間距LED大屏直顯領(lǐng)域的應(yīng)用的研發(fā)。

基于微間距LED大屏直顯領(lǐng)域迅速發(fā)展, 伴隨著像素間距的進(jìn)一步微縮,縮小芯片在COB產(chǎn)品的需求急速提升。MiP方案成為微間距大屏直顯技術(shù)發(fā)展的不二選擇。

惠科憑借在顯示領(lǐng)域多年的技術(shù)積累和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn),與立琻半導(dǎo)體融合雙方在芯片, 顯示方案及產(chǎn)業(yè)鏈資源上的核心優(yōu)勢(shì),成功推動(dòng)SiMiP芯片技術(shù)的應(yīng)用落地。此次研發(fā)的SiMiP技術(shù)通過單芯集成紅綠藍(lán)三基色像元,簡(jiǎn)化生產(chǎn)與修復(fù)工藝,該技術(shù)可大幅提高微間距LED顯示模組生產(chǎn)的直通良率,顯著降低生產(chǎn)成本,兼具高性能和成本的優(yōu)勢(shì),將進(jìn)一步推動(dòng)微間距LED大屏直顯技術(shù)的革新與普及。