文章分類： 氮化鎵GaN

又一GaN研究院成立

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 29 日 17:39 |
| 分類: 氮化鎵GaN
6月26日，由西安電子科技大學(xué)廣州研究院（簡(jiǎn)稱西電廣研院）與新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd（簡(jiǎn)稱ICCT）合作共建的“氮化鎵器件和集成電路先進(jìn)封裝技術(shù)研究中心”，在廣東-新加坡合作理事會(huì)第十三次會(huì)議上成功簽約。 據(jù)悉，該研究中心圍繞第三代半導(dǎo)...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵功率芯片廠商元芯半導(dǎo)體獲融資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 29 日 17:38 |
| 分類: 氮化鎵GaN
據(jù)消息，杭州元芯半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“元芯半導(dǎo)體”）已經(jīng)于近日獲得數(shù)千萬(wàn)元天使+輪融資，由同創(chuàng)偉業(yè)領(lǐng)投，浙大校友基金會(huì)藕舫天使基金跟投。本次融資資金將主要用于核心產(chǎn)品研發(fā)和拓展產(chǎn)品線，以及技術(shù)和運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)建設(shè)。 元芯半導(dǎo)體成立于2022年，以第三代半導(dǎo)體器件和系統(tǒng)為核心，致...  [詳內(nèi)文]

GaN中高壓應(yīng)用蓄勢(shì)待發(fā)，外延結(jié)構(gòu)扮演重要角色

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 28 日 17:26 |
| 分類: 氮化鎵GaN
GaN開始為人所知是在光電LED市場(chǎng)，廣為人知?jiǎng)t是在功率半導(dǎo)體的消費(fèi)電子快充市場(chǎng)。但實(shí)際上，GaN最初在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的目標(biāo)據(jù)說是新能源汽車市場(chǎng)，而非消費(fèi)電子市場(chǎng)。 “在新能源汽車領(lǐng)域，SiC發(fā)展得早，而GaN并不是發(fā)展得不早，只是一開始應(yīng)用在LED上，抑制了GaN的技術(shù)開發(fā)演進(jìn)...  [詳內(nèi)文]

三星，入局八英寸氮化鎵代工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 28 日 17:14 |
| 分類: 氮化鎵GaN
在今日舉辦的代工論壇上，三星表示，將從 2025 年起，三星將開始針對(duì)消費(fèi)、數(shù)據(jù)中心和汽車應(yīng)用的 8 英寸氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體代工服務(wù)。 隨著寬禁帶材料開始在功率電子領(lǐng)域取代硅，氮化鎵在消費(fèi)市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟，這將在今后幾年里帶來這類材料在功率器件市場(chǎng)的大幅增長(zhǎng)，尤其是在中國(guó)...  [詳內(nèi)文]

納微X重力星球，全球首款變形金剛聯(lián)名65W氮化鎵充電器來了

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 27 日 17:40 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，納微半導(dǎo)體宣布其最新GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片獲重力星球最新產(chǎn)品——“狗氮” 65W 變形金剛聯(lián)名款氮化鎵充電器采用。 圖片來源：納微半導(dǎo)體 該65W充電器配備雙Type-C接口和單Type-A接口，可同時(shí)為三臺(tái)不同的設(shè)備如筆記本電腦、智能手機(jī)、...  [詳內(nèi)文]

重磅！Wolfspeed公布三件大事

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 26 日 17:40 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據(jù)外媒報(bào)道，以阿波羅全球資產(chǎn)管理公司（Apollo Global Management Inc.）為首的一組投資人，決定以私募融資的方式向Wolfspeed提供最多20億美元的資金，這筆資金主要用來支持Wolfspeed在美國(guó)的擴(kuò)張。 Source：Wolfspeed 根據(jù)彭...  [詳內(nèi)文]

國(guó)星光電：氮化鎵SIP封裝引領(lǐng)驅(qū)動(dòng)電源發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 26 日 17:40 |
| 分類: 氮化鎵GaN
隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)一步發(fā)展，先進(jìn)封裝成為了下一階段半導(dǎo)體技術(shù)的重要發(fā)展方向。其中，SIP（System in Package）系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)因可幫助芯片成品增加集成度、減小體積并降低功耗，成為了半導(dǎo)體封裝的關(guān)鍵方案之一。 同時(shí)，以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體則因高頻、高能效...  [詳內(nèi)文]

全球前十大IC設(shè)計(jì)廠商第一季營(yíng)收持平前季

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 25 日 17:10 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢表示，第一季供應(yīng)鏈庫(kù)存消化不如預(yù)期，且適逢傳統(tǒng)淡季，整體需求清淡。 不過，由于部分新品拉動(dòng)，加上特殊規(guī)格急單帶動(dòng)，第一季全球前十大IC設(shè)計(jì)公司營(yíng)收為338.6億美元，持平去年第四季營(yíng)收，環(huán)比增長(zhǎng)0.1%。Cirrus Logic（思...  [詳內(nèi)文]

供貨泉州三安，化合物半導(dǎo)體企業(yè)株洲科能加速IPO進(jìn)程

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 25 日 17:09 |
| 分類: 氮化鎵GaN
6月21日，上交所受理了株洲科能新材料股份有限公司（簡(jiǎn)稱：株洲科能）科創(chuàng)板上市申請(qǐng)。 招股書顯示，株洲科能此次IPO擬募資5.88億元，投建于年產(chǎn)500噸半導(dǎo)體高純材料項(xiàng)目及回收項(xiàng)目、稀散金屬先進(jìn)材料研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目，以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。 株洲科能長(zhǎng)期致力于Ⅲ-Ⅴ族化學(xué)元素材料提純...  [詳內(nèi)文]

18億募資，科創(chuàng)板或?qū)⒃僭鲆患一衔镌O(shè)備廠

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 21 日 16:40 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
6月19日，上交所正式受理了拉普拉斯新能源科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱：拉普拉斯）科創(chuàng)板上市申請(qǐng)。 拉普拉斯此次IPO擬募資18億元，投建于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項(xiàng)目、半導(dǎo)體及光伏高端設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目，以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。 2020-2022年（簡(jiǎn)稱：報(bào)告期內(nèi)），拉普拉斯實(shí)現(xiàn)營(yíng)...  [詳內(nèi)文]