環(huán)球晶董事長徐秀蘭近日表示，主流6英寸碳化硅（SiC）襯底的價(jià)格已經(jīng)穩(wěn)定，但市場反彈仍不確定。中國臺灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC襯底，盡管2025年對SiC的市場預(yù)期仍較為保守，但2026年的前景似乎更為樂觀。
據(jù)TrendForce集邦咨詢研究數(shù)據(jù)指出，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預(yù)估2028年全球SiCPowerDevice市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。
SiC目前有兩大應(yīng)用市場，一是電動車逆變器、充電樁、太陽能發(fā)電、直流電網(wǎng)中取代硅基IGBT，二是以SiC襯底承載GaN做5G基地臺的RF功率放大。而在SiC產(chǎn)業(yè)鏈中，襯底是最關(guān)鍵的原材料，也是最具技術(shù)含量和含金量的領(lǐng)域，SiC元件成本中，襯底至少占一半。
從國際市場看，意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed、Rohm、Onsemi占據(jù)大部分市場，中國市場則有天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、瀚天天成、三安光電、華潤微等。
外媒消息表示，2024年市場供過于求影響全球SiC行業(yè)，價(jià)格跌破生產(chǎn)成本，擾亂了全球供應(yīng)鏈。徐秀蘭透露，價(jià)格已暴跌超過50%，達(dá)到前所未有的低點(diǎn)。盡管6英寸SiC襯底價(jià)格現(xiàn)已穩(wěn)定，但短期內(nèi)復(fù)蘇尚不明顯。
而在設(shè)備端，徐秀蘭表示，碳化硅長晶設(shè)備與切割、研磨、拋光等加工設(shè)備的技術(shù)也在不斷進(jìn)步。新型長晶設(shè)備能夠提高碳化硅晶體的生長速度和質(zhì)量，而先進(jìn)的加工設(shè)備則能提升襯底的平整度和表面質(zhì)量，進(jìn)一步滿足高端芯片制造的要求。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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