英諾賽科宣布發(fā)布新品GaN 功率 IC：
采用TO-247-4L 封裝，集成柵極驅動和短路保護的 GaN 功率 IC，適用于高功率密度和高效率的大功率應用。
ISG612xTD SolidGaN IC
ISG612xTD SolidGaN IC是700V E-Mode GaN 功率 IC，Rdson 范圍為 22m?~59m?（最大25C）。
ISG612xTD系列采用精密Vgs柵極驅動器、快速短路保護和 TO247-4L 封裝，具有出色的熱性能。這些配置使系統(tǒng)設計人員能夠實現(xiàn)具有 Titanium Plus 效率的高頻開關，功率密度比傳統(tǒng)方案高2~3倍。
產品包含
ISG6121TD
ISG6122TD
ISG6123TD
ISG6124TD
該系列產品還配備了內置保護，包括DESAT保護、輸入UVLO和OTP，能夠進一步確保設備的穩(wěn)健性和系統(tǒng)安全性。
產品性能
集成700V，22mΩ~59mΩ E-Mode GaN和高精度柵極鉗位
兼容IGBT，Si MOSFET，SiC引腳，可直接替換
10V~24V輸入電壓范圍支持主流驅動器和控制器生態(tài)
內置米勒鉗位，無需負壓關斷，支持高達100V/ns開關速度
集成短路保護，欠壓保護，過溫保護，增加系統(tǒng)魯棒性
應用優(yōu)勢
高開關頻率
高功率密度
高散熱能力
高抗干擾能力
簡單易用
高可靠性
應用領域
適合500W-4KW大功率電源和馬達驅動
可廣泛應用于服務器電源，空調電源，汽車OBC
作為行業(yè)首發(fā)的大功率合封氮化鎵產品，ISG612XTD SolidGaN IC將先進的700V E型GaN FET無縫集成，為電力電子的性能、易用性和可靠性設定了全新標準，有望成為高效率、高安全性的終端應用系統(tǒng)的關鍵器件。
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