最新,安森美/比亞迪在碳化硅功率取得進(jìn)展!

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 18:00 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC

近日,安森美和比亞迪相繼推出了碳化硅技術(shù)/新品,引起市場諸多關(guān)注。

01 安森美推出基于1200V碳化硅的智能功率模塊

3月18日,安森美官微宣布推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SPM 31智能功率模塊(IPM)系列。

source:安森美

據(jù)悉,EliteSiC SPM 31 IPM 與安森美IGBT SPM 31 IPM 產(chǎn)品組合(涵蓋15A至35A的低電流)形成互補(bǔ),提供從40A到70A的多種額定電流。

該模塊集成獨(dú)立高邊柵極驅(qū)動(dòng)、低電壓集成電路(LVIC)、六顆 SiC MOSFET 及溫度傳感器,通過優(yōu)化短路耐受時(shí)間(SCWT)與熱管理能力,顯著降低系統(tǒng)損耗與體積。以數(shù)據(jù)中心電子換向(EC)風(fēng)扇為例,相較于傳統(tǒng) IGBT 方案,SPM 31 可將年能耗成本降低 52%,同時(shí)支持更高頻率的開關(guān)速度,滿足AI服務(wù)器散熱系統(tǒng)對高效穩(wěn)定運(yùn)行的需求。

除數(shù)據(jù)中心外,安森美將目光投向工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、熱泵及商業(yè)暖通空調(diào)等領(lǐng)域。其 SPM 31 系列覆蓋 40A 至 70A 電流等級,并與現(xiàn)有 IGBT 模塊形成互補(bǔ),提供行業(yè)最寬泛的集成化功率解決方案。在全球建筑能耗占比達(dá) 27.6% 的背景下,這一技術(shù)突破為工業(yè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)低碳轉(zhuǎn)型提供了關(guān)鍵支撐。

02 比亞迪推出全新一代車規(guī)級碳化硅功率芯片

3月17日,比亞迪在超級e平臺技術(shù)發(fā)布會上宣布,其自主研發(fā)的全新一代1500V車規(guī)級碳化硅(SiC)功率芯片已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

source:比亞迪

據(jù)悉,這款芯片作為全球首款量產(chǎn)的最高電壓等級車規(guī)級SiC產(chǎn)品,將推動(dòng)新能源汽車行業(yè)進(jìn)入”高壓快充+高性能驅(qū)動(dòng)”的全新時(shí)代。

比亞迪此次發(fā)布的SiC功率芯片采用疊層激光焊技術(shù),通過優(yōu)化芯片互聯(lián)結(jié)構(gòu),將雜散電感降低75%,電控效率提升至99.86%,過流能力增強(qiáng)10%。其1500V的電壓等級不僅適配超級e平臺的全域千伏架構(gòu),更可支持最高1000kW的充電功率,較行業(yè)主流600kW快充技術(shù)提升近70%。

在材料工藝層面,芯片采用納米銀燒結(jié)技術(shù)替代傳統(tǒng)焊接工藝,使連接層熱阻降低95%,可靠性壽命提升5倍以上。結(jié)合Cuclipbonding工藝與氮化硅AMB基板,芯片實(shí)現(xiàn)了體積縮小50%、功率密度翻倍的性能突破,為電動(dòng)車三電系統(tǒng)的小型化、輕量化提供關(guān)鍵支撐。

比亞迪的技術(shù)突破也引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈連鎖反應(yīng)。其自建的4000座兆瓦閃充站網(wǎng)絡(luò),將加速公共充電基礎(chǔ)設(shè)施升級;與藍(lán)海華騰等企業(yè)的合作,則推動(dòng)國產(chǎn)SiC模塊在電控系統(tǒng)中的廣泛應(yīng)用。這種”車企主導(dǎo)+供應(yīng)鏈協(xié)同”的模式,正重塑全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)格局。

總體來看,安森美與比亞迪的技術(shù)進(jìn)展,分別指向能源轉(zhuǎn)換與交通電動(dòng)化兩大領(lǐng)域,卻共同印證了碳化硅材料在高電壓、高頻率場景下的不可替代性。在工業(yè)領(lǐng)域,安森美的模塊技術(shù)降低了數(shù)據(jù)中心、工業(yè)設(shè)備的能耗,助力碳中和目標(biāo);在汽車領(lǐng)域,比亞迪的高壓芯片與閃充生態(tài)重構(gòu)了電動(dòng)車使用體驗(yàn),加速燃油車替代進(jìn)程。

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新顯示,作為未來電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向,碳化硅在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢,未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢,預(yù)估2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美元(約648億人民幣)。(集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。