SEMICON China 2025期間，中國(guó)電科第二研究所胡北辰博士代表電科裝備作“大尺寸SiC襯底制備整線解決方案”的專題報(bào)告。 電科.png)
source：中國(guó)電科
胡北辰博士指出，SiC單晶生長(zhǎng)與切磨拋加工是第三代半導(dǎo)體器件成本降低、良率提升的重要工藝環(huán)節(jié)。針對(duì)這一重點(diǎn)問題，2所以“裝備+工藝+服務(wù)”的理念，面向行業(yè)迫切需求，將電科裝備的單晶生長(zhǎng)、激光剝離、晶錠/晶圓減薄、化學(xué)機(jī)械拋光、缺陷檢測(cè)等核心設(shè)備產(chǎn)品有機(jī)結(jié)合，并融入信息化系統(tǒng)，形成了大尺寸碳化硅晶片生長(zhǎng)加工的整線智能制造解決方案。
與傳統(tǒng)的材料加工自動(dòng)化程度不高、重點(diǎn)依賴人力相比，該方案核心設(shè)備都具備高度自動(dòng)化能力，且通過協(xié)作機(jī)器人在機(jī)臺(tái)間的物料傳輸，實(shí)現(xiàn)整線協(xié)同控制與柔性調(diào)度，減少設(shè)備等待時(shí)間，提高整體生產(chǎn)效率。同時(shí)，自動(dòng)化生產(chǎn)流程能讓人為誤差降至最低，保障產(chǎn)品良率和一致性，配套的全流程數(shù)據(jù)記錄與分析也更利于工程師快速定位質(zhì)量問題根源，不斷改進(jìn)生產(chǎn)工藝。 該方案通過晶體生長(zhǎng)與加工多工藝協(xié)同優(yōu)化，可將8英寸單片切割時(shí)間由90分鐘縮短到25分鐘左右，單片加工損耗從220微米降低到80微米，助力客戶實(shí)現(xiàn)降本增效，提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。 目前該解決方案已獲得市場(chǎng)積極反饋，進(jìn)入用戶產(chǎn)線開展試驗(yàn)驗(yàn)證，并與多家頭部企業(yè)達(dá)成意向合作。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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