魯晶半導(dǎo)體與山東大學(xué)深化碳化硅功率器件合作

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 04 月 08 日 17:17 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC

據(jù)魯晶芯城消息,4月2日,魯晶半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)與山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院雙方達(dá)成深化合作協(xié)議,計(jì)劃聯(lián)合申報(bào)國(guó)家級(jí)科研項(xiàng)目,共建實(shí)驗(yàn)室,并推動(dòng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)制定。

source:魯晶芯城

據(jù)悉,魯晶半導(dǎo)體將依托山東大學(xué)新一代材料研究院平臺(tái)及人才資源,強(qiáng)化技術(shù)研發(fā)能力;山東大學(xué)借助企業(yè)產(chǎn)業(yè)資源與市場(chǎng)渠道,推動(dòng)科研成果快速轉(zhuǎn)化。雙方將以此次合作為起點(diǎn),構(gòu)建“基礎(chǔ)研究+技術(shù)攻關(guān)+產(chǎn)業(yè)落地”全鏈條創(chuàng)新體系,助力國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體自主可控。

在當(dāng)天,雙方重點(diǎn)交流了超高壓5000V SiC肖特基二極管及大功率MOSFET器件的技術(shù)進(jìn)展。魯晶半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)分享了其在器件研發(fā)與制造中的階段性成果,山東大學(xué)專家則從學(xué)術(shù)角度剖析了高頻、高效、高溫性能優(yōu)化方案。雙方一致認(rèn)為,SiC功率器件憑借其耐高壓、低損耗特性,將成為未來電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)方向,而魯晶半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)與山東大學(xué)的科研實(shí)力為合作提供了強(qiáng)有力支撐。

魯晶半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)重點(diǎn)推介了SiC器件在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、充電樁等場(chǎng)景的應(yīng)用潛力。山東大學(xué)專家則針對(duì)高功率密度、長(zhǎng)壽命等需求提出優(yōu)化建議。雙方認(rèn)為,SiC技術(shù)的規(guī)模化應(yīng)用將顯著提升能源效率,降低碳排放,為“雙碳”目標(biāo)提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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