近日，元腦服務器宣布全面導入氮化鎵GaN鈦金電源，提供1300W/1600W/2000W多種規(guī)格選擇。
元腦服務器介紹，在數據中心復雜的能源架構里，電源是將外部輸入電能精準分配給各類IT設備的核心環(huán)節(jié)。盡管HVDC高壓直流、固態(tài)變壓器（SST）等新型供電架構已通過減少配電層級損耗，成功將配電層供電鏈路的系統級能效提升至96%-98%，但傳統鉑金電源的能效短板問題正不斷突顯。
source：元腦服務器
以智算中心主流的20%-50%負載區(qū)間為例，鉑金電源的轉換效率僅為90%-94%，形成“高系統能效、低設備能效”的斷層，能效差達4%-8%。在服務器機箱這一關鍵電能轉換終端環(huán)節(jié)，傳統鉑金電源如同“漏水的燃料艙”，造成高達10%的電能損耗。據估測，僅一座10MW智算中心每年便因此浪費超900萬度電，每1%的能效提升即可節(jié)省百萬級的電費支出。
元腦服務器的氮化鎵鈦金電源方案與傳統服務器鉑金電源存在顯著差異。
傳統服務器鉑金電源依賴MOSFET器件，受限于材料物理特性，存在高頻開關損耗與發(fā)熱等問題。與之相比，氮化鎵材料優(yōu)勢明顯，其電子遷移率是硅的10倍，可支持MHz級高頻開關，能使動態(tài)損耗降低70% ；相同功率下擁有超低導通電阻（僅為硅基器件的1/5），可讓發(fā)熱量減少50%；擊穿電場強度達3.3MV/cm，憑借出色的耐高壓耐高溫特性，支持高壓直連架構，能夠消除多級轉換損耗。
展望未來，隨著激增的算力需求與數據中心能耗矛盾的加劇，在散熱效率、能效標準等需求的推動下，更高功率密度、更大功率、更高效的氮化鎵鈦金電源將是服務器電源行業(yè)發(fā)展必然趨勢。（集邦化合物半導體整理）