近期，三安光電大動(dòng)作接連不斷。6月4日，70億元的定增新股申請(qǐng)剛獲證監(jiān)會(huì)核準(zhǔn)批復(fù)；6月7日，與TCL華星的Micro LED聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室正式成立；昨（16）日宣布160億元投資碳化硅等化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)。
公告顯示，6月15日，三安光電與長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)管理委員會(huì)簽署《項(xiàng)目投資建設(shè)合同》。三安光電決定在長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)管理委員會(huì)園區(qū)成立子公司，投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈。
項(xiàng)目實(shí)施主體為擬成立的長(zhǎng)沙控股子公司，將研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SiC導(dǎo)電襯底、4吋半絕緣襯底、SiC二極管外延、SiC MOSFET外延、SiC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。
三安光電稱，公司在用地各項(xiàng)手續(xù)和相關(guān)條件齊備后24個(gè)月內(nèi)完成一期項(xiàng)目建設(shè)并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，48個(gè)月內(nèi)完成二期項(xiàng)目建設(shè)和固定資產(chǎn)投資并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，72個(gè)月內(nèi)實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。
三安光電表示，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目有著廣闊的市場(chǎng)需求，現(xiàn)處于發(fā)展階段。本次投資項(xiàng)目符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)劃，符合公司產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向和發(fā)展戰(zhàn)略，有利于提升公司行業(yè)地位及核心競(jìng)爭(zhēng)力。
近幾年來(lái)，國(guó)家大力扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，相關(guān)政策的出臺(tái)加快了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，并且國(guó)產(chǎn)化的呼聲越來(lái)越高?；衔锇雽?dǎo)體產(chǎn)品逐漸發(fā)展成為相關(guān)企業(yè)強(qiáng)勁的增長(zhǎng)動(dòng)能，越來(lái)越多廠商進(jìn)軍該市場(chǎng)。作為L(zhǎng)ED行業(yè)龍頭廠商，三安光電的發(fā)展重心早已轉(zhuǎn)向化合物半導(dǎo)體、Mini/Micro LED顯示以及汽車照明市場(chǎng)。
在本次項(xiàng)目之前，三安光電已布局三大關(guān)于化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的項(xiàng)目，總投資額分別為330億元、120億元、138億元。目前，三安光電正在全力推進(jìn)各大項(xiàng)目的建設(shè)。
其中，330億元產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目落戶福建省泉州芯谷南安園區(qū)，具體包括七大產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目：高端氮化鎵 LED襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目；高端砷化鎵 LED 外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目；大功率氮化鎵激光器的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目；光通訊器件的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目；射頻、濾波器的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目；功率型半導(dǎo)體（電力電子）的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目；特種襯底材料研發(fā)與制造、特種封裝產(chǎn)品應(yīng)用研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。
此項(xiàng)目計(jì)劃五年內(nèi)實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，七年內(nèi)全部項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。2019年，項(xiàng)目購(gòu)買的設(shè)備陸續(xù)到廠，已有部分設(shè)備安裝完成，已進(jìn)入調(diào)試階段，待調(diào)試完成后將逐步釋放產(chǎn)能。
120億元III-V族化合物半導(dǎo)體落戶湖北省葛店經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，主要研發(fā)、生產(chǎn)、銷售Mini/Micro LED外延與芯片產(chǎn)品及相關(guān)應(yīng)用。2019年，該項(xiàng)目完成土地摘牌，目前正在建設(shè)中。
138億元半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目（一期）聚焦氮化鎵、砷化鎵、特種封裝三大業(yè)務(wù)板塊。其中70億元為募集資金，長(zhǎng)沙先導(dǎo)高芯與格力分別認(rèn)購(gòu)50億元、20億元。項(xiàng)目主要產(chǎn)品包括高端氮化鎵LED外延芯片、高端砷化鎵LED外延芯片、RS紅光/紅外產(chǎn)品、Mini/Micro LED芯片、車用LED照明、植物照明LED芯片、大功率激光器、太陽(yáng)電池芯片等。本月初，此次70億元的定增新股申請(qǐng)獲得證監(jiān)會(huì)核準(zhǔn)批復(fù)。
本次160億元的化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目再一次表明三安光電發(fā)力高端半導(dǎo)體市場(chǎng)的決心，不斷加快步伐搶占市場(chǎng)占有率。隨著半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的訴求不斷升溫，三安光電的又一次豪氣投資將有助于進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。（文：LEDinside Janice）
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