日本將新增一條SiC產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 08 月 05 日 18:10 | 分類 功率

據(jù)日媒報(bào)道,8月1日,碳和石墨產(chǎn)品綜合制造商?hào)|海碳素(Tokai Carbon)擬投資54億日元(折合人民幣約為2.7億元)在日本神奈川縣茅崎市建立一條多晶SiC晶圓專線,并預(yù)計(jì)將于2024年12月完成建設(shè)。

東海炭素開發(fā)的用于功率半導(dǎo)體的SiC晶圓,被稱為“層壓SiC晶圓”。層壓SiC晶圓是通過將帶有預(yù)刻槽的單晶SiC晶圓與多晶SiC晶圓鍵合,然后加熱剝離刻槽部分,在作為襯底的多晶SiC晶圓上形成單晶SiC薄膜而制成的。由于單晶SiC層是薄膜,單晶SiC晶圓可重復(fù)使用10次以上,一張單晶SiC晶圓可生產(chǎn)10張以上的鍵合晶圓。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

多晶SiC的優(yōu)點(diǎn)是電阻值約為單晶SiC的1/5~1/4,可以進(jìn)一步降低功率損耗。與僅使用單晶SiC的晶圓相比,通過使用層壓SiC晶圓,可以提高SiC功率半導(dǎo)體的性能,并且可以使系統(tǒng)本身更小、更輕,并且可以提高EV的行駛里程。

此前報(bào)道,今年5月,東海炭素與法國半導(dǎo)體材料制造商Soitec就多晶SiC晶圓達(dá)成合作,公司將在中長期內(nèi)為Soitec供應(yīng)6英寸和8英寸多晶SiC晶圓。

除了在日本茅崎市基地設(shè)立多晶SiC專線外,東海炭素還計(jì)劃在其位于韓國京畿道安城市的現(xiàn)有工廠生產(chǎn)多晶SiC。 (文:集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)

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