文章分類： 功率

兩大國際公司合作，聚焦鎵材料供應(yīng)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 08 日 18:48 |
| 分類: 功率
近日，西澳大利亞州珀斯的礦業(yè)公司Nimy Resources Ltd與總部位于內(nèi)華達(dá)州的M2i Global Inc（Minerals Metals Initiatives）簽署了一項(xiàng)不具約束力的合作協(xié)議，以確保鎵的供應(yīng)以支持美國國防部（DOD）。 此次合作不僅是國防戰(zhàn)略需求的體...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵（Ga?O?）：新興材料的無限潛力

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 31 日 17:59 |
| 分類: 功率
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸成為未來技術(shù)的關(guān)鍵，而氧化鎵（Ga?O?）正是其中的佼佼者。憑借其優(yōu)異的特性，氧化鎵正在改變功率電子器件和光電探測領(lǐng)域的格局。 氧化鎵的定義氧化鎵（Gallium Oxide，Ga?O?）是一種化學(xué)式為 Ga?O? 的無機(jī)化合物，是鎵...  [詳內(nèi)文]

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 22 日 17:19 |
| 分類: 功率
1月21日，中科院微電子研究所發(fā)布消息稱，我國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功。該所劉新宇、湯益丹團(tuán)隊(duì)和中國科學(xué)院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團(tuán)隊(duì)等開展合作，成功研制出首款國產(chǎn)高壓抗輻射碳化硅（SiC）功率器件及其電源系統(tǒng)。 這一突破標(biāo)志著我國在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域邁向新高度。...  [詳內(nèi)文]

2025開年，一批碳化硅項(xiàng)目刷新進(jìn)度

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 22 日 17:14 |
| 分類: 功率
2025開年，碳化硅產(chǎn)業(yè)仍然熱鬧，眾多億元級別的項(xiàng)目在各地紛紛取得重大進(jìn)展。 項(xiàng)目投資規(guī)模涵蓋范圍廣，建設(shè)內(nèi)容豐富多樣，應(yīng)用領(lǐng)域主要集中在半導(dǎo)體及相關(guān)產(chǎn)業(yè)，從材料生產(chǎn)到設(shè)備制造，再到全產(chǎn)業(yè)園區(qū)的建設(shè)，碳化硅產(chǎn)業(yè)正在形成一條具有高效協(xié)同效應(yīng)的產(chǎn)業(yè)鏈。 這些項(xiàng)目的推進(jìn)反映出碳化硅產(chǎn)業(yè)...  [詳內(nèi)文]

投資3.45億美元，MACOM擴(kuò)建氮化鎵晶圓廠

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 17 日 18:48 |
| 分類: 功率
1月14日，美國射頻廠商MACOM宣布擬投資3.45億美元（折合人民幣約25.28億元），對其位于馬薩諸塞州和北卡羅來納州的半導(dǎo)體晶圓制造工廠進(jìn)行全面升級。 具體來看，公司馬薩諸塞州工廠將擴(kuò)建潔凈室，升級現(xiàn)有4英寸晶圓（涉及GaAs、GaN、硅和其他III-V材料）生產(chǎn)線，并引入...  [詳內(nèi)文]

機(jī)器人，氮化鎵下一個風(fēng)口？

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 20 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
氮化鎵（GaN）材料具有寬禁帶、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿電壓、化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，以及較強(qiáng)的抗輻射、抗高溫、抗高壓能力，這些特性使得氮化鎵在功率半導(dǎo)體器件、光電子器件以及射頻電子器件等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 目前，功率氮化鎵在消費(fèi)電子領(lǐng)域應(yīng)用已漸入佳境，并正在逐步向各類應(yīng)用...  [詳內(nèi)文]

X-fab推出新一代碳化硅MOS工藝平臺

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 18 日 16:47 |
| 分類: 功率
12月17日，碳化硅（SiC）晶圓代工廠商X-fab推出了新一代XbloX平臺XSICM03。該平臺可推進(jìn)SiC工藝技術(shù)在功率MOSFET的應(yīng)用，并顯著降低單元間距，從而在不影響可靠性的前提下增加了每片晶圓芯片數(shù)量并改善導(dǎo)通電阻。 source：X-fab X-fab介紹，Xb...  [詳內(nèi)文]

碳化硅器件封裝企業(yè)清連科技完成新一輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 17 日 16:56 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè) , 功率
12月16日，據(jù)“清連科技QLSEMI”消息，北京清連科技有限公司（以下簡稱：清連科技）宣布已完成數(shù)千萬元新一輪融資，本輪融資新增股東馮源資本、哈勃科技以及元禾控股，老股東光速光合持續(xù)追投。 官微資料顯示，清連科技致力于提供高性能功率器件高可靠封裝解決方案，團(tuán)隊(duì)依托納米金屬燒結(jié)...  [詳內(nèi)文]

博世將在2026年開始生產(chǎn)8英寸碳化硅芯片

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 16 日 16:20 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 功率
在新能源汽車、光儲充、軌道交通、高壓電網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的推動下，碳化硅（SiC）功率器件市場需求呈現(xiàn)持續(xù)增長態(tài)勢。TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，預(yù)估2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金（約668億人...  [詳內(nèi)文]