12月17日，碳化硅（SiC）晶圓代工廠商X-fab推出了新一代XbloX平臺(tái)XSICM03。該平臺(tái)可推進(jìn)SiC工藝技術(shù)在功率MOSFET的應(yīng)用，并顯著降低單元間距，從而在不影響可靠性的前提下增加了每片晶圓芯片數(shù)量并改善導(dǎo)通電阻。
source：X-fab
X-fab介紹，XbloX整合了經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的SiC工藝開(kāi)發(fā)模塊和平面MOSFET生產(chǎn)的模塊，簡(jiǎn)化了入門流程，并顯著降低了設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間。
通過(guò)將經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的工藝模塊與強(qiáng)大的設(shè)計(jì)規(guī)則、控制計(jì)劃和失效模式及影響分析（FMEA）相結(jié)合，XbloX實(shí)現(xiàn)了更快的原型制作、更簡(jiǎn)便的設(shè)計(jì)評(píng)估和更短的市場(chǎng)上市時(shí)間。該平臺(tái)為客戶提供了競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，允許設(shè)計(jì)師創(chuàng)建多樣化的產(chǎn)品組合，同時(shí)比傳統(tǒng)開(kāi)發(fā)方法提前多達(dá)九個(gè)月實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)。
新一代平臺(tái)在保持穩(wěn)健的工藝控制以及漏電和擊穿性能的同時(shí)，減小了活動(dòng)區(qū)域設(shè)計(jì)單元尺寸。XSICM03平臺(tái)憑借穩(wěn)健的設(shè)計(jì)規(guī)則，允許客戶創(chuàng)建單元間距比上一代小25%以上的SiC平面MOSFET。
這一改進(jìn)使得每片晶圓的芯片數(shù)量比上一代增多30%。利用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的工藝模塊，平臺(tái)確保了柵氧可靠性和器件穩(wěn)健性。豐富的PCM庫(kù)和增強(qiáng)的設(shè)計(jì)支持使得客戶能夠快速流片，從而加速產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。
X-fab Texas的首席執(zhí)行官Rico Tillner評(píng)論道：“通過(guò)其簡(jiǎn)化的方法，我們的下一代工藝平臺(tái)滿足了汽車、工業(yè)和能源應(yīng)用中對(duì)高性能SiC器件日益增長(zhǎng)的需求。公司通過(guò)加速原型制作和設(shè)計(jì)評(píng)估，使現(xiàn)有和新客戶能夠創(chuàng)建應(yīng)用優(yōu)化的產(chǎn)品組合，顯著縮短上市時(shí)間。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）
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