日本住友電氣工業(yè)株式會社（Sumitomo Electric）近日宣布，其與大阪公立大學的研究團隊在功率半導體領域取得重大突破——成功在直徑兩英寸的多晶金剛石（PCD）基板上研制出高性能氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管。 該創(chuàng)新成果通過革命性散熱架構設計，將器件熱阻降至傳統(tǒng)硅基...  [詳內文]