相關(guān)資訊：晶圓

龍騰半導(dǎo)體：二期晶圓產(chǎn)線進(jìn)行中
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 04 日 14:43 | 分類 功率
近期，龍騰半導(dǎo)體股份有限公司接受了《西安新聞》的專題報(bào)道。 該公司聯(lián)席CEO陳橋梁先生表示，龍騰半導(dǎo)體作為陜西省半導(dǎo)體及集成電路重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈“鏈主”企業(yè)，通過(guò)不斷的技術(shù)革新、產(chǎn)品升級(jí)與IDM戰(zhàn)略布局，成功構(gòu)建了“應(yīng)用+設(shè)計(jì)+工藝+材料+設(shè)備”五位一體的融合創(chuàng)新商業(yè)模式。在8英寸功率...  [詳內(nèi)文]

印度開(kāi)發(fā)出4英寸碳化硅晶圓工藝
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 13 日 15:56 | 分類 功率
據(jù)外媒報(bào)道，11月11日，印度國(guó)防研究與發(fā)展組織（DRDO）下屬的固體物理實(shí)驗(yàn)室已成功開(kāi)發(fā)出本土一種工藝，可以生長(zhǎng)和制造直徑為4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他們還已制造出功率高達(dá)150W的氮化鎵（GaN）HEMT以及功率為40W的單片微波集成電路（MMIC），這些器件能夠在...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)6英寸AlN單晶復(fù)合襯底和晶圓制造全流程突破
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 06 日 16:13 | 分類 企業(yè)
近日，松山湖材料實(shí)驗(yàn)室第三代半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)郝躍院士課題組張進(jìn)成教授、李祥東教授團(tuán)隊(duì)，以及廣東致能科技有限公司聯(lián)合攻關(guān)，成功基于2~6英寸AlN單晶復(fù)合襯底制備了高性能GaNHEMTs晶圓。 得益于AlN單晶復(fù)合襯底的材料優(yōu)勢(shì) (位錯(cuò)密度居于2×108 cm-2數(shù)量級(jí)...  [詳內(nèi)文]

130um，全球最薄碳化硅晶圓片問(wèn)世
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 12 日 17:20 | 分類 功率
江蘇通用半導(dǎo)體有限公司（原：河南通用智能裝備有限公司，下文簡(jiǎn)稱“通用半導(dǎo)體”）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研設(shè)備（碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備）成功實(shí)現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶 8英寸SiC晶錠激光全自動(dòng)剝離設(shè)備（source：通用半導(dǎo)體） 資料顯示，通用...  [詳內(nèi)文]

晶圓級(jí)立方SiC單晶生長(zhǎng)取得突破
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 22 日 17:51 | 分類 功率
碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的載流子遷移率(2-4倍)、低的界面缺陷態(tài)密度(低1個(gè)數(shù)量級(jí))和高的電子親和勢(shì)(3...  [詳內(nèi)文]

全球首個(gè)100mm的金剛石晶圓面世
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 08 日 14:56 | 分類 企業(yè)
近日，總部位于加利福尼亞州舊金山的Diamond Foundry Inc宣布制造出了世界上第一塊直徑為100毫米的單晶金剛石晶圓。 該公司計(jì)劃提供金剛石基板作為改善熱性能的途徑，這反過(guò)來(lái)又可以改善人工智能計(jì)算和無(wú)線通信以及更小的電力電子設(shè)備。 該公司使用一種稱為異質(zhì)外延的工藝來(lái)沉...  [詳內(nèi)文]

德州儀器又一12吋晶圓廠動(dòng)工
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 03 日 14:28 | 分類 企業(yè)
德州儀器(TI)今天表示，其位于美國(guó)猶他州李海的新12吋半導(dǎo)體晶圓制造廠破土動(dòng)工。TI總裁兼首席執(zhí)行官哈維夫·伊蘭慶祝新晶圓廠LFAB2 建設(shè)邁出了第一步，該工廠將連接到該公司現(xiàn)有的12吋晶圓廠萊希。一旦完成，TI的兩個(gè)猶他州晶圓廠每天將滿負(fù)荷生產(chǎn)數(shù)千萬(wàn)個(gè)模擬和嵌入式處理芯片。 ...  [詳內(nèi)文]

投資20億美元，世界先進(jìn)將于新加坡建12英寸晶圓廠
作者 |發(fā)布日期 2023 年 10 月 24 日 13:43 | 分類 功率
據(jù)中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，世界先進(jìn)將投資約20億美元在新加坡建立旗下首座12英寸晶圓廠，該廠生產(chǎn)的晶圓將用于制造車載芯片。若建廠計(jì)劃順利推行，這將會(huì)是世界先進(jìn)近年來(lái)最大的一筆投資。 早在2019年，世界先進(jìn)就以2.36億美元收購(gòu)格芯在新加坡建造的一座8英寸晶圓代工廠，用于各式傳感器...  [詳內(nèi)文]

三菱電機(jī)加速布局，首條12英寸產(chǎn)線安裝調(diào)試完成
作者 |發(fā)布日期 2023 年 09 月 06 日 17:11 | 分類 功率
根據(jù)外媒報(bào)道，三菱電機(jī)已經(jīng)在其位于日本福山的工廠完成了第一條300mm晶圓產(chǎn)線的設(shè)備安裝調(diào)試，樣品生產(chǎn)和測(cè)試驗(yàn)證了生產(chǎn)線上加工的功率半導(dǎo)體芯片達(dá)到了所需的性能水平。 報(bào)道稱，三菱電機(jī)計(jì)劃于2025財(cái)年開(kāi)始量產(chǎn)300mm 功率硅晶圓生產(chǎn)線。目標(biāo)是到2026財(cái)年將其硅功率半導(dǎo)體晶圓的...  [詳內(nèi)文]

捷捷微電擬上調(diào)6英寸晶圓及器件封測(cè)生產(chǎn)線總投資額
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 22 日 16:58 | 分類 氮化鎵GaN
2月22日，捷捷微電發(fā)布關(guān)于全資子公司功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測(cè)生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目變更投資總額的公告。 據(jù)介紹，捷捷微電于2021年7月召開(kāi)的董事會(huì)上審議通過(guò)了《關(guān)于對(duì)外投資的議案》，同意公司全資子公司捷捷半導(dǎo)體建設(shè)“功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測(cè)生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”，總投資5.1億...  [詳內(nèi)文]