SEMICON China 2025期間，中國電科第二研究所胡北辰博士代表電科裝備作“大尺寸SiC襯底制備整線解決方案”的專題報告。
source：中國電科
胡北辰博士指出，SiC單晶生長與切磨拋加工是第三代半導(dǎo)體器件成本降低、良率提升的重要工藝環(huán)節(jié)。針對這一重點問題，2所以“... [詳內(nèi)文]
電科裝備介紹大尺寸SiC襯底制備整線解決方案 |
| 作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 04 月 03 日 18:06 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC |